Stan obecny i perspektywy rozwojowe przyrządów energoelektronicznych

• Autorzy: Januszewski S.

Warianty tytułu

EN

State of the art and future trends dealing with power electronic devices

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Omówiono obecny stan rozwoju półprzewodnikowych przyrządów mocy od wielu lat dostępnych na rynku. Przedstawiono nowe zmodyfikowane przyrządy takie jak: tyrystory wyłączalne komutowane bramką GCT, tranzystory z bramką o wzbogaconym wstrzykiwaniu IEGT oraz nowa rodziną wysokonapięciowych tranzystorów polowych MOSFET występującą pod różnymi nazwami firmowymi (CooIMOS, suoer junction MOSFET). Przedstawiono stan obecny i dalsze tendy rozwojowe dotyczące energoelektrycznych układów scalonych. Omówiono ostatnie osiągnięcia uzyskane w konstrukcji obudów. Podano informację o nowych materiałach półprzewodnikowych, które są brane pod uwagę dla uzupełnienia krzemu w przyrządach wysokotemperaturowych.

EN

State of the art of power semiconductor devices existing many years on the market is given. New modified devices as gate commutated turn-off thyristors (GCT), injection enhanced gate transistors (IEGT) and new family of high voltage MOSFETs with different names (CoolMOS, super junction MOSFET) are presented. State of the art and further trends dealing with power integrated ciruits are discused. Last developments in the field of device packages are given. Some information on new semiconductor materials taking into account applications in high temperature devices are presented.

Słowa kluczowe

PL

energetyczne diody prostownicze; tyrystory; bramki MOS; układy scalone; półprzewodniki

EN

gate GCT; thyristors; semiconductors; integrated ciruits

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2000
• Tom: Vol. 41, nr 10
• Strony: 12--24
• Opis fizyczny: Bibliogr. 42 poz., rys., tab., wykr.

Twórcy

autor

Januszewski S.

• Instytut Elektrotechniki, Warszawa