Charakterystyka odporności rezystorów Ti-Si na działanie impulsów wysokonapięciowych

• Autorzy: Szwagierczak D. , Kulawik J. , Marek A. , Gandurska J. , Śnieżyńska I.

Warianty tytułu

EN

Surge performance of Ti-Si resistors

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Badano odporność rezystorów opartych na krzemkach tytanu TiSi_{2, Ti5Si3 na odziaływanie impulsów wysokonapięciowych o kształcie fali 10/700us. Zniszczenie rezystorów następowało przy napięciu 1200-1500V. Zmiany rezystancji po udarach wynosiły 0-4,5% w zależności od napięcia, ilości impulsów, grubości warstwy i rodzaju krzemku.}

EN

Surge performance of resistors based on titanium silicides TiSi_{2, Ti5Si3 and TiSi were investigated using 10/700 us hight voltage pulses. Failure of resistors occurred ar 1200-1500 V. Changes in resistance after pulsing were 0-4,5% depending on peak voltage, number of pulses, thick film thockness and kind of silicide.}

Słowa kluczowe

PL

rezystory; impulsy wysokonapięciowe; krzemek tytanu

EN

resistors; high voltage pulses; titanium silicide

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2000
• Tom: Vol. 41, nr 7
• Strony: 26--29
• Opis fizyczny: Bibliogr. 9 poz., rys., tab., wykr.

Twórcy

autor

Szwagierczak D.

autor

Kulawik J.

autor

Marek A.

autor

Gandurska J.

autor

Śnieżyńska I.

• Ośrodek Badawczo-Rozwojowy Mikroelektroniki Hybrydowej i Rezystorów, Kraków