Tytuł artykułu
Autorzy
Identyfikatory
Warianty tytułu
Semiconductor resonant - tunneling devices for milimeter and submilimeter waves generation
Języki publikacji
Abstrakty
W pracy omówiono fizyczne właściwości i zasadę działania diod z rezonasem tunelowym oraz ich właściwości elektryczne. Przedstawiono przykłady konstrukcji i technologii diod RTD wytwarzanych w oparciu o różne półprzewodnikowe struktury heterozłączowe.
In this article the physical properties and principle of operation of the resonant-tunneling diodes are presented. In the last part of this article the examples of the construction and technology of RTD diodes are shown. In these diodes the different types of tunneling heterojunction are used.
Słowa kluczowe
Wydawca
Rocznik
Tom
Strony
3--12
Opis fizyczny
Bibliogr. 47 poz., rys., wykr.
Twórcy
autor
- Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa
Bibliografia
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BWA1-0014-0006