Półrzewodnikowe przyrządy z rezonansem tunelowym do generalizacji fal milimetrowych i submilimetrowych

• Autorzy: Klamka J.

Warianty tytułu

EN

Semiconductor resonant - tunneling devices for milimeter and submilimeter waves generation

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy omówiono fizyczne właściwości i zasadę działania diod z rezonasem tunelowym oraz ich właściwości elektryczne. Przedstawiono przykłady konstrukcji i technologii diod RTD wytwarzanych w oparciu o różne półprzewodnikowe struktury heterozłączowe.

EN

In this article the physical properties and principle of operation of the resonant-tunneling diodes are presented. In the last part of this article the examples of the construction and technology of RTD diodes are shown. In these diodes the different types of tunneling heterojunction are used.

Słowa kluczowe

PL

diody; rezonans tunelowy

EN

diodes; tunneling resonans

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2000
• Tom: Vol. 41, nr 3
• Strony: 3--12
• Opis fizyczny: Bibliogr. 47 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Klamka J.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa