Opracowanie technologii płytek podłożowych do homoepitaksji wiązką molekularną szerokoprzerwowych półprzewodników AII--BVI oraz budowa uproszczonego stanowiska do tego procesu

• Autorzy: Mycielski A. , Szadkowski A. , Kaliszek W. , Witkowska B. , Kowalczyk L. , Łusakowska E. , Domagała J. , Bąk-Misiuk J. , Jędrzejczak A. , Zieliński M. , Adamczewska J. , Adamiec K. , Rutkowski J. , Dobrowolski W. , Gładki A.

Warianty tytułu

EN

Technology of sustrates for molecular beam homoepitaxy of wide -- gap AII--BVI semiconductors and construction of a simplified setup for this process

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Opisano wytwarzanie gotowych do epitaksji podłoży z szerokoprzerwowych związków pólprzewodnikowych AII--BVI, to znaczy - uzyskiwanie super czystych pierwiastków, syntezę materiału źródłowego do krystalizacji, krystalizacja metodą transportu w fazie gazowej, wycinanie zorientowanych rentgenowsko płytek podłożowych i ich obróbka mechaniczna oraz metody przygotowania powierzchni "epi-ready", jak również budowa uproszczonej wersji stanowiska MBE do pokrywania płytek podłożowych warstwą homoepitaksjalnń. Przedstawiono wyniki charakteryzacji kryształów i płytek podłożowych.

EN

The technology of the "epi-ready" substrate plates (for MBE) of the wide-gap AII-BVI semiconductor compounds, i.e. - preparation of the ultra pure elements, synthesis of the source material, crystallization by the physical vapour transport technique, cutting of the oriented plates, mechano-chemical polishing and preparation of the "epi-ready" surface - is described, as well as the construction of a simplified version of the MBE setup for covering the substrate plates with the homoepitaxial layer. The results of the characterization of the substrate crystals and plates are presented.

Słowa kluczowe

PL

homoepitaksja; powierzchnia epi-ready; MBE

EN

homoepitaxy; epi-ready; MBE setup

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2000
• Tom: Vol. 41, nr 2
• Strony: 3--8
• Opis fizyczny: Bibliogr. 7 poz., rys., tab., wykr.

Twórcy

autor

Mycielski A.

autor

Szadkowski A.

autor

Kaliszek W.

autor

Witkowska B.

autor

Kowalczyk L.

autor

Łusakowska E.

autor

Domagała J.

autor

Bąk-Misiuk J.

autor

Jędrzejczak A.

autor

Zieliński M.

autor

Adamczewska J.

autor

Adamiec K.

autor

Rutkowski J.

autor

Dobrowolski W.

autor

Gładki A.

• Instytut Fizyki PAN