PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Tytuł artykułu

Opracowanie technologii płytek podłożowych do homoepitaksji wiązką molekularną szerokoprzerwowych półprzewodników AII--BVI oraz budowa uproszczonego stanowiska do tego procesu

Identyfikatory
Warianty tytułu
EN
Technology of sustrates for molecular beam homoepitaxy of wide -- gap AII--BVI semiconductors and construction of a simplified setup for this process
Języki publikacji
PL
Abstrakty
PL
Opisano wytwarzanie gotowych do epitaksji podłoży z szerokoprzerwowych związków pólprzewodnikowych AII--BVI, to znaczy - uzyskiwanie super czystych pierwiastków, syntezę materiału źródłowego do krystalizacji, krystalizacja metodą transportu w fazie gazowej, wycinanie zorientowanych rentgenowsko płytek podłożowych i ich obróbka mechaniczna oraz metody przygotowania powierzchni "epi-ready", jak również budowa uproszczonej wersji stanowiska MBE do pokrywania płytek podłożowych warstwą homoepitaksjalnń. Przedstawiono wyniki charakteryzacji kryształów i płytek podłożowych.
EN
The technology of the "epi-ready" substrate plates (for MBE) of the wide-gap AII-BVI semiconductor compounds, i.e. - preparation of the ultra pure elements, synthesis of the source material, crystallization by the physical vapour transport technique, cutting of the oriented plates, mechano-chemical polishing and preparation of the "epi-ready" surface - is described, as well as the construction of a simplified version of the MBE setup for covering the substrate plates with the homoepitaxial layer. The results of the characterization of the substrate crystals and plates are presented.
Słowa kluczowe
Rocznik
Strony
3--8
Opis fizyczny
Bibliogr. 7 poz., rys., tab., wykr.
Twórcy
autor
autor
autor
autor
autor
autor
autor
autor
  • Instytut Fizyki PAN
Bibliografia
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BWA1-0014-0001
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.