Wyznaczanie generacyjnego czasu życia nośników mniejszościowych struktur SOI z elektrycznych charakterystyk diody z bramką

• Autorzy: Gibki J. , Jakubowski A.

Warianty tytułu

EN

Determination of minority carrier generation lifetime in SOI structures using electrical characteristics of a gate-controlled diode

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Przedstawiono rezultaty badań diod z bramką zrealizowanych w technologii SOI. Analiza kształtu charakterystyk prądowo-napięciowych tych diod pozwala na wyznaczenie parametrów procesów generacyjno-rekombinacyjnych w strukturach, takich jak generacyjny czas życia oraz prędkości generacji powierzchniowej na dolnej i górnej granicy Si-SiO2. Opracowana metoda wydaje się być bardzo dokładnym i efektywnym narzędziem charakteryzacji technologii.

EN

In this paper a study of gate-controlled diodes fabricated in SOI technology has been presented. I-U and C-V measurements of gatecon-trolled diodes allowed the generation-recombination parameters to be determined, such as carrier lifetime and the generation velocity for both the front and back Si-SiO2 interfaces. The developed method seems to be an accurate and effective tool for technology characterisation.

Słowa kluczowe

PL

Silicon on Insulator; SOI; struktury SOI; elementy półprzewodnikowe; dioda z bramką

EN

diodes gate-controlled; Silicon on Insulator; SOI; SOI technology

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 1998
• Tom: Vol. 39, nr 6
• Strony: 14--18
• Opis fizyczny: Bibliogr. 12 poz., rys.

Twórcy

autor

Gibki J.

autor

Jakubowski A.