SiC : materiał dla elektroniki

• Autorzy: Kościewicz K. , Tymicki E. , Grasza K.

Warianty tytułu

EN

SiC : material for electronics

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Monokrystaliczny węglik krzemu SiC jest doskonałym materiałem półprzewodnikowym do zastosowań przy budowie urządzeń elektronicznych wysokiej mocy ze względu na szeroką przerwę energetyczną dobrą przewodność cieplną oraz duże pole przebicia. Stosowany jest także na podłoża pod warstwy epitaksjalne GaN (niebieska optoelektronika). Podstawowym problemem w technologii otrzymywania monokryształów SiC są defekty strukturalne, takie jak: mikrokanaliki, dyslokacje, politypizm i makrodefekty. Przyrządy wytworzone z SiC znajdująjuż szerokie zastosowania w energetyce, motoryzacji, optoelektronice, a także w urządzeniach kosmicznych i nuklearnych. Mogą pracować w temperaturze dochodzącej do 600°C, pozwalają uzyskiwać wyższe moce, są odporne na promieniowanie cieplne oraz mogą być stosowane w zakresie mikrofalowym.

EN

Single crystals of silicon carbide SiC are a perfect material for a high power electronic devices due to wide bandgap, good thermal conductivity and high breakdown field. It is applied as a substrate for GaN epitaxy layers (blue optoelectronic). Silicon carbide possesses perfect physical and chemical properties and considerably surpassed conventional materials like silicon even gallium arsenide in these properties. Basic problems in single crystals growth of SiC are structural defects like: micropipes, dislocations, polytypism and macrodefects. Devices produced on base of SiC substrates are applied in power industry, motorization, optoelectronics, also in space and nuclear technology. They can work at temperatures up to 600°C, at higher power. They are resistant to thermal radiation and can be also used in microwaves range.

Słowa kluczowe

PL

węglik krzemu; monokryształ; przyrządy półprzewodnikowe; SiC

EN

SiC; silicon carbide; single crystal; semiconductor devices

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2006
• Tom: Vol. 47, nr 9
• Strony: 22--27
• Opis fizyczny: Bibliogr. 16 poz., il., wykr.

Twórcy

autor

Kościewicz K.

autor

Tymicki E.

autor

Grasza K.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Warszawa

Bibliografia

• [1] Świderski I.: Badania procesów krystalizacji węglika krzemu. WPM WEMA, s. 9, Warszawa 1977.
• [2] Jeleński A.: Półprzewodniki szerokopasmowe dla elektroniki i fotoniki. Darłówko Wschodnie, KKE 2005.
• [3] www.nina.ecse.rpi.edu
• [4] www.fuw.edu.pl
• [5] Stobierski L: Polish Ceramic Bulletin 10. Ceramics 48, 1996.
• [6] www.ifm.liu.se
• [7] www.cree.com, www.sicrystal.de, Świderski I.: Badania procesów krystalizacji węglika krzemu. WPM WEMA, Warszawa 1977.
• [8] Schuang D., Edgar J. H.: Wet etching of GaN, AIN, and SiC: Materials Science and Engineering R 48 (2005), pp. 1-46.
• [9] "III-Vs Review", vol. 18, no 7, September/October 2005, s. 26.
• [10] "III-Vs Review", vol. 18, no 7, September/October 2005, s. 40.
• [11] Encyclopaedia of Materials: Science and Technology.
• [12] Klamka J.: SiC - półprzewodnik do przyrządów pracujących w podwyższonej temperaturze. Elektronizacja 2/2003.
• [13] Grasza K., Tymicki E., Kisielewski J.: Aktywne oddziaływanie termiczne powierzchni źródła materiału i kryształu w metodzie wzrostu węglika krzemu z fazy gazowej. Krajowa Konferencja Elektroniki (2005).
• [14] Grasza K., Tymicki E., Kisielewski J.: Active thermal interaction of source and crystal surfaces in PVT SiC crystal growth. IC-SCRM (2005) Interniational Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Materials Science Forum.
• [15] Kościewicz K., Sakowska H.: Selektywne trawienie defektów SiC jako metoda określania jakości monokryształów. XXXIII Szkoła Inżynierii Materiałowej, Kraków - Ustroń, 4-7.X.2005
• [16] Kościewicz K., Olszyna A., Hofman W., Sakowska H., Tymicki E., Lenkiewicz D., Strupiński W., Grasza K.: Monokrystaliczny węglik krzemu jako materiał dla elektroniki. V Krajowa Konferencja Elektroniki, Darłowo, 12-14.VI.2006.