Detektor ultrafioletu z węglika krzemu

• Autorzy: Dobrzański J. , Grasza K.

Warianty tytułu

EN

Silicon carbide ultraviolet detector

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Opisano konstrukcję i technologię pierwszych polskich detektorów ultrafioletu wykonanych na monokrystalicznym węgliku krzemu. Kryształy SiC wyhodowano we własnym laboratorium metodą sublimacyjną. Detektory są diodami Schottky'ego z półprzeźroczystą metalizacją bariery. Diody wykazują bardzo dobre charakterystyki I(V) oraz czułość prądową w zakresie od 0,06 A/W do 0,08 A/W.

EN

We report on development of the SiC UV detector made on a single crystal without epitaxial layers. SiC Crystal was grown in our lab using PVT (Physical Vapor Transport) method. Next we deposit ohmic metal on a whole wafer and annealed it. Schotttky semitransparent metallization was deposited on an opposite side of wafer. Diodes exhibit good I(V) characteristics and a peak responsivity from 0.06 to 0.08 A/W.

Słowa kluczowe

PL

detektory ultrafioletu; węglik krzemu; SiC

EN

SiC; silicon carbide; UV detectors

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2006
• Tom: Vol. 47, nr 9
• Strony: 20--5
• Opis fizyczny: Bibliogr. 2 poz., wykr.

Twórcy

autor

Dobrzański J.

autor

Grasza K.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Warszawa

Bibliografia

• [1] Dobrzański L., Góra K., Jagoda A., Przyborowska K., Kozłowski A., Stańczyk B., Strupiński W., Lenkiewicz D., Wnuk A.: Detektory ultrafioletu z azotku galu. Elektronika 3/2006, ss. 8-11.
• [2] Laser Components GmbH, www.lasercomponents.com.