Opracowanie metod projektowania oraz wytwarzania struktur i przyrządów na podłożu z węglika krzemu

• Autorzy: Lisik Z.

Warianty tytułu

EN

Methods for design and manufacturing of structures and devices on silicon carbide substrate

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W odpowiedzi na ogłoszenie Projektu Zamawianego "Nowe technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowanie w elektronice wielkich częstotliwości, dużych mocy i wysokich temperatur" zgłoszono pakiet projektów badawczych, który składa się z czterech bloków, odpowiadających czterem zadaniom zawartym w ogłoszeniu. Artykuł zawiera przegląd 16 projektów zgłoszonych w zadaniu 2, które dotyczy metod projektowania oraz wytwarzania struktur i przyrządów w podłożu z węglika krzemu. Ujęto je w trzech blokach. Pierwszy z nich (6 projektów) dotyczy metod charakteryzacji niezbędnych dla monitorowania podłoży przed i pomiędzy procesami technologicznymi, drugi (6 projektów) dotyczy metod projektowania oraz procesów technologicznych niezbędnych dla wytwarzania przyrządów z SiC, natomiast trzeci (4 projekty) opracowania technologii realizacji wybranych przyrządów z SiC, takich jak sensory, diody i tranzystory.

EN

The proposal of package with research grants has been prepared as the answer to the call for the Ordered Project "New technologies based on silicon carbide and their application in high frequency electronics, power electronics and high temperature electronics". It consists of four blocks corresponding to four items listed in the call. The paper covers the review of 16 grants proposed for the second items aimed at the methods for design and manufacturing of structures and devices in SiC substrate. They are collected in three blocks, the first one, covering 6 grants, deals with the characterization methods necessary for substrate monitoring before and between technology processes, the second one, covering 6 grants, deals with the design and technology processes necessary for SiC device fabrication, whereas the third one, covering 4 grants, deals with working out the technologies of selected SiC devices like sensors, diodes and transistors.

Słowa kluczowe

PL

węglik krzemu; krystalizacja; epitaksja; processing; struktury i przyrządy elektroniczne; układy elektroniczne; konkurs ofert; projekt naukowo-badawczy

EN

silicon carbide; crystallization; epitaxy; processing; electronic devices and structures for electronic systems; project-offer; research project

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2006
• Tom: Vol. 47, nr 9
• Strony: 14--16

Twórcy

autor

Lisik Z.

• Politechnika Łódzka, Instytut Elektroniki