Nowoczesne techniki rozpylania magnetronowego

• Autorzy: Posadowski W.

Warianty tytułu

EN

Modern process of magnetron sputtering

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Badano zjawisko autorozpylania magnetronowego (bez gazu roboczego w atmosferze procesu) miedzi i niklu rozpylanych oddzielnie oraz podczas jednoczesnego rozpylania tych materiałów z dwóch niezależnie zasilanych magnetronów. Przedstawiono proces technologiczny otrzymywania warstw dielektrycznych (AIN, Al2O3) za pomocą impulsowych układów magnetronowych.

EN

Self-sustained magnetron sputtering (proceeds in the absence of working gas in the process atmosphere) has been described for copper and nickel being sputtered separately, or simultaneously from two individually powered magnetrons. Technology of dielectric films (AIN, Al2O3) produced with the aid of pulsed magnetron systems has been presented.

Słowa kluczowe

PL

magnetron; rozpylanie stałoprądowe; rozpylanie impulsowe; próżnia

EN

magnetron; dc sputtering; pulsed sputtering; vacuum

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2006
• Tom: Vol. 47, nr 4
• Strony: 40--43
• Opis fizyczny: Bibliogr. 15 poz., wykr.

Twórcy

autor

Posadowski W.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki, Mikrosystemów i Fotoniki

Bibliografia

• [1] Hosokawa N., Tsukada T., Kitahara H.: Proc. 8th Int. Vacuum Congress, 22-26 Sept., 1980, Cannes. Supplement Le Vide-les Couches Minces, no. 201, p. 11-14.
• [2] Posadowski W. M.: Surface Coatings Technology, vol. 49, no. 1/3, (1991), p. 290-292.
• [3] Posadowski W. M., Radzimski Z.: J. Vac. Sci. Technol. A, vol. 11, (1993), p. 2980-2984.
• [4] Posadowski W. M.: Vacuum, vol. 46, no 8-10, (1995), p. 1017-1020.
• [5] Kadlec S., Musil J.: Vacuum, vol. 47, no. 3, (1996), p. 307-311.
• [6] Posadowski W. M., Brudnik A.: Vacuum (1999), vol. 53, no 1/2, p. 11-15.
• [7] Dora J.: Zasilacz rezonansowy. Urząd Patentowy RP, Patent nr 178285, zgł. 1996.06.03.
• [8] Radzimski Z., Hankins O., Cuomo J., Posadowski W. M., Shingubara S.: J. Vac. Sci. Technol., B, vol. 15, no 2, (1997), p. 202-208.
• [9] Thornton J. A.: J. Vac. Sci. Technol., 12, (1975), p. 830-835.
• [10] Craig S., Harding G. L: J. Vac. Sci. Technol., 199(2), Jul/Aug., (1981), p. 205-215.
• [11] Jankowski H., Nowak S., Worek C., Posadowski W. M.: Mass and charge transport in inorganic materials - Fundamentals to devices (Part B). Advances in Science and Technology no. 29, Venice-Jesolo Lido, Italy, May 28 - June 2, (2000), p. 1499-1506.
• [12] Jankowski H., Nowak S., Worek C., Posadowski W.: VI Ogólnopolskie Seminarium Techniki Jonowe, Szklarska Poręba, 3-5 marca, (1999), s. 73-79.
• [13] Posadowski W. M.: Thin Solid Films, 343-344, (1999), p. 85-89.
• [14] Shingubara S., Sano A., Sakaue H., Takahagi T., Horiike Y., Radzimski Z., Posadowski W. M.: Mater. Res. Soc., (1996), 9, p. 185-192.
• [15] Radzimski Z., Posadowski W. M., Rossnagel S. M., Shingubara S.: J. Vac. Sci. Technol. B 16(3), May/Jun, (1998), p. 1102-1106.