Krzemogerman SiGe w mikroelektronice

Łukasiak, L.; Jakubowski, A.; Beck, R. B.; Pióro, Z.

Artykuł - szczegóły

Tytuł artykułu

Krzemogerman SiGe w mikroelektronice

Autorzy

Łukasiak L. , Jakubowski A. , Beck R. B. , Pióro Z.

Identyfikatory

Warianty tytułu

Silicon-Germanium SiGe in microelectronics

Języki publikacji

Abstrakty

Przedstawiono korzystne właściwości materiałowe krzemogermanu oraz jego zastosowanie w przyrządach półprzewodnikowych, takich jak tranzystor bipolarny (baza) oraz tranzystor MOS.

In this paper advantageous material properties of silicon-germanium are presented as well as the application of SiGe in semiconductor devices, such as: bipolar transistor (base) and MOSFET (channel, gate, source and drain contacts).

Słowa kluczowe

bramka poli-SiGe krzemogerman SiGe tranzystor HBT tranzystor MOS z kanałem SiGe

HBT poly-SiGe gate SiGe-channel MOSFET SiGe silicon-germanium

Wydawca

Wydawnictwo SIGMA-NOT

Czasopismo

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

Rocznik

2006

Tom

Vol. 47, nr 4

Strony

34--37

Opis fizyczny

Bibliogr. 19 poz.

Twórcy

autor

Łukasiak L.

autor

Jakubowski A.

autor

Beck R. B.

autor

Pióro Z.

Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki

Bibliografia

[1] Samilov A. V., Thilderkvist A. L. : TCG Product Business Group. April 17, 2002, www.avsusergroups.org/papers/tfug.
[2] Yeh P., Yariv A., Hong C-S.: J. Opt. Soc. Am., vol. 67, no. 4, pp. 423-438, 1977.
[3] ATLAS User's Manual. Silvaco, Feb. 2002.
[4] G. U'Ren: Connexant Systems. April 17, 2002, www.avsusergroups.org/papers/tfug.
[5] Palankovsky V., Selberherr S.: J. Telecommunications & Information Technology. No. 1, p. 15, 2004.
[6] Li P. W., Liao W. M.: Solid-State Electron. Vol. 46, p. 39, 2002.
[7] Baddock S. G., O'Neill A. G., Chester E. G.: Solid-State Electron. Vol. 46, p. 1925, 2002.
[8] Riley L. S. et al.: Microelectronics Eng. Vol. 48, p. 227, 1999.
[9] Parker E. H. C., Whall T. E.: Solid-State Electron. Vol. 43, p. 1497, 1999.
[10] Iniewski K. et al.: Solid-State Electron. Vol. 36, pp. 775, 1993.
[11] Łukasiak L., Jakubowski A., Tomaszewski D.: Materiały Konferencji ELTE2004.
[12] Lu Q. et al.: 2002 Symp. on VLSI Tech., Dig. of Tech. Papers, p. 86, 2002.
[13] Rhee H. S. et al.: 2002 Symp. on VLSI Tech., Dig. of Tech. Papers, p. 126, 2002.
[14] Chen C. H. et al.: Solid-State Electron., vol. 46, p. 597, 2002.
[15] Lee W.-C. et al.: IEEE Electron. Dev. Lett., vol. 20, p. 232, 1999.
[16] King T.-J. et al.: IEEE Trans. Electron. Dev., vol. 41, p. 228, 1994.
[17] Salm C. et al.: J. Electrochem. Soc., vol. 144, p. 3665, 1997.
[18] Helberg P.-E. et al.: IEEE. Electron. Dev. Lett., vol. 18, p. 456, 1997.
[19] Semiconductor Industry Association. International technology roadmap for semiconductors. San Jose, CA: SIA, 2002.

Typ dokumentu

Bibliografia

Identyfikator YADDA

bwmeta1.element.baztech-article-BWA1-0011-0032