Czujniki pehametryczne typu p-well ISFET

• Autorzy: Pijanowska D. , Torbicz W. , Jaroszewicz B. , Grabiec P.

Warianty tytułu

EN

p-well ISFET type pehametric sensors

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

O długookresowej stabilności parametrów i trwałości czujników pehametrycznych typu ISFET decyduje odpowiednie wykonanie zewnętrznej, czułej chemicznie warstwy dieelektrycznej w obszarze bramki tranzystora i dobrej hermetyzacji za pomocą żywicy gotowego czujnika, obejmującej strukturę półprzewodnikową oraz przewodnikowe odprowadzenia. Ułatwienie problemu hermetyzacji uzyskuje się za pomocą planarnej technologii w której struktura ISFET-u jest wykonana na wyspie typu p, wytworzonej w płycie krzemowej typu n (p-well ISFET), lub dzięki takiej konstrukcji ISFET-u, w której struktura ISFET-u i kontakty są wykonane na przeciwnych stronach płytki krzemowej (BSC ISFET).

EN

Long term stability and durability of pH ISFETs depend on a proper manufacturing of the chemically sensitive dielectric outer gate layer and on a method of ISFETs sealing, both semiconductor structure and conducting leads, with use of resin. Diminishing of the sealing problem may be obtained in a planar technological process in which ISFET structure is manufactured on a p type island created on a n type silicon plate (p-well ISFET), or if ISFET structure and conducting contacts will be placed on the opposite sides of the plate (back side contact -- BSC ISFET).

Słowa kluczowe

PL

półprzewodnikowy czujnik chemiczny; ISFET; pomiar pH; tranzystor polowy czuły chemicznie

EN

semiconductor chemical sensor; chemically sensitive sensor; ISFET; pH measurement; field effect chemical sensors

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronizacja : podzespoły i zastosowania elektroniki
• Rocznik: 2003
• Tom: Vol. 23, nr 6
• Strony: 26--30
• Opis fizyczny: Bibliogr. 8 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Pijanowska D.

• Instytut Biocybernetyki i Inżynierii Biomedycznej PAN

autor

Torbicz W.

• Instytut Biocybernetyki i Inżynierii Biomedycznej PAN

autor

Jaroszewicz B.

• Instytut Technologii Elektronowej

autor

Grabiec P.

• Instytut Technologii Elektronowej

Bibliografia

• 1. Torbicz W.: Teoria i własności tranzystorów polowych jako czujników biochemicznych. Ossolineum, 1988.
• 2. Pijanowska D. G.: Analysis of factors determining parameters of ion sensitive field effect transistor as the sensors of biochernical quantities. Prace IBIB PAN, nr 46, 1996.
• 3. Ewald D., van den Berg A., Grisel A.: Technology for backside contacted pH - sensitive ISFETs embedded in p-well structure. Sensors and Actuators B, 1, 1990, pp. 335-340.
• 4. van den Vlekkert H. H.: Some fundamental and practical aspects of CHEMFETs. Thesis, University of Neuchatel, Neuchatel, Ch, 1988.
• 5. Pijanowska D. G., Jaźwiński J., Łysko J. M., Koszur J., Wyglądacz K., Brzózka Z.: Technologiczne aspekty wykonania miniaturowych czujników potencjometrycznych na podłożu krzemowym z tylnym wyprowadzeniem kontaktu elektrycznego. Konf. Naukowa Czujniki Optoelektroniczne i Elektroniczne - COE, Gliwice, 13-16 czerwca 2000, t. I, pp. 178-182.
• 6. Łysko J. M., Pijanowska D., Malinowska E., Jaźwiński J.: Krzemowe miniaturowe elektrody jonoselektywne z wyprowadzeniem od spodu płytek. Patent pending by Institute of Electron Technology No. P339473, Poland, Jan. 13, 2000.
• 7. Pijanowska D. G., Wyglądacz K., Jaźwiński J., Malinowska E., Łysko J. M., Koszur J., Brzózka Z.: Technological aspects of potentiometric BSC-type micro sensor fabrication. Proc of Optoectronic and Electronic Sensors IV, SPIE, vol. 4516, 2001, pp. 32-35.
• 8. Wyglądacz K., Malinowska E., Pijanowska D., Jaźwiński J., Brzózka Z.: Design of miniaturized olid-state sensors based on silicon structure with back-side contacts. Digest of Techn. Papers of the 11 th Int. Conf. on Solid-State Sensors and Actuators, TRANSDUCERS'0l and EUROSENSORS XV, (CD-ROM ver.) Monachium, Niemcy, June 10-14, 2001.