Półprzewodnikowe diody elektroluminescencyjne (LED). Cz. 2, Rewolucja w optoelektronice : LED emitujące światło niebieskie

Mroziewicz, B.

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Artykuł - szczegóły

Tytuł artykułu

Półprzewodnikowe diody elektroluminescencyjne (LED). Cz. 2, Rewolucja w optoelektronice : LED emitujące światło niebieskie

Autorzy

Mroziewicz B.

Identyfikatory

Warianty tytułu

Semiconductor LEDs. Part 2, Revolutionary blue emitting LEDs

Języki publikacji

Abstrakty

Niebiesko świecące diody LED stworzyły nowe perspektywy dla rozwoju optoelektroniki półprzewodnikowej. W artykule omówiono zasady konstrukcji i podstawowe właściwości takich diod ze szczególnym uwzględnieniem zagadnień dotyczących LED dużej mocy. Sporo miejsca poświęcono również wybranym aspektom technologii niebiesko świecących LED, w tym problemom związanym z podłożami stosowanymi w procesie epitaksji. Omówiono ponadto wybrane zagadnienia dotyczące produkcji, aplikacji i rynków zbytu.

Blue emitting LEDs have brought into being entirely new perspectives for semiconductor optoelectronics. In this paper we describe designs, fabrication processes and properties of high power blue HB LEDs. Particular attention has been devoted to substrates essential for epitaxial growth of the diode heterostructures. Considerations concerning production and markets are also included.

Słowa kluczowe

niebieskie LED dużej mocy konstrukcje właściwości podłoża epitaksjalne rynek

high power blue LEDs designs properties substrates market

Wydawca

Wydawnictwo SIGMA-NOT

Czasopismo

Elektronizacja : podzespoły i zastosowania elektroniki

Rocznik

2003

Tom

Vol. 23, nr 6

Strony

10--16

Opis fizyczny

Bibliogr. 30 poz., il.

Twórcy

autor

Mroziewicz B.

Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

Bibliografia

1. III-Vs Review Semiconductor Int., Advanced Semicond. Buyers'Guide, 2002/2003, pp. 101-102.
2. Metzger R.: Turning Blue to Green, Compound Semicond., vol. 1, No. 1, 1995, p. 26.
3. Meyer M.: Competition Spice Up Blue LED Market, Compound Semicond., vol. 4, No. 5, 1998, pp. 13-19.
4. Johnstone B.: Bright Lights, Compound Semicond., vol. 1, No. 1, 1995, pp. 36-38.
5. di Forte-Poisson M.-A.: Rainbow project brings color to LED , Compound Semicond., vol. 7, No. 3, 2001, pp. 70-71.
6. Liu H., So W., K. Ma K., B. Yuan B., Chern Ch.: High-volume production of AllnGaN-based LED, Compound Semicond., vol. 7, No. 10, 2001, pp. 59-61.
7. Illek S.: Buried micro-reflectors boost performance of AlGalnP LED, Compound Semiconductor. Compound Semicond., vol. 9, No. l, 2002, pp. 39-42.
8. Grzegory I., Krukowski M., S., Leszczyńki M., Perlin P., Suki T., Porowski S.: The Application of High Pressure in Physic and Technology of III- V Nitrides. Acta Phys. Pol. A, vol. 100 (Suppl), 2001, pp. 57-109.
9. Whilaker T.: The Origin of Luminescence in InGaN LEDs, Compound Semicond., vol. 5, No. 4, 1999, pp. 18-20.
10. Nichia Surpasses 10 OOO Hours, Announce Blue Laser Prototyping Planes, Compound Semicond., vol. 3, No. 6, 1997, pp. 4-6.
11. Zorpette G.: Let There Be Light, IEEE Spectrum, Sept. 2002, pp. 70-74.
12. Weeks W., Borges R.: Silicon substrates provide a disruptive technology for GaN, Compound Semicond., vol. 7, No. 10, 2001 , pp. 63-66.
13. Dixon R. : Silicone substrate benefit GaN LEDs, Compound Semicond., vol. 8, No. 1, 2002, p. 12.
14. Free-standing GaN substrates by HVPE, Compound Semicond., vol. 5, No. 4, 1999, pp. 20-21.
15. TDI makes large bulk GaN wafers, Compound Semicond., vol. 7, No. 10, 2001 , p. 13.
16. Crystal Photonic Ships 2 inch GaN, Compound Semicond., vol. 8, No. 5, 2002, p. 9.
17. Kyma ship 2 inch GaN wafers, Compound Semicond., vol. 8, No. 3, 2002, p. 21.
18. Dixon R.: High-brightness LED market to grow after fiat year in 2001, Compound Semicond., vol. 8, No. 3, 2002, pp. 51-53.
19. Dixon R.: Blue LED market gains new uppliers, Compound Semicond., vol. 8, No. 3, 2002, p. 13.
20. Whitaker T.: Lighting the future with LED, Compound Semicond., vol. 7, No. 3, 2001 , p. 151-57.
21. Dixon R.: The LED Industry in Taiwan, Compound Semicond., vol. 5, No. 4, 1999, pp. 24-27.
22. Dixon R.: Nitride LED maker strive to enhance efficiency and power. Compound Semicond., vol. 8, No. 1, 2002, pp. 35-38.
23. LumiLeds' white LEDs offer 120 lm, Compound Semicond., vol. 8, No. 5, 2002, p. 6.
24. Uniroyal samples large-area LED, Compound Semicond., vol. 8, No. 2, 2002, p. 13.
25. Cree unveils power chips, Compound Semicond., vol. 8, No. 3, 2002, p. 18.1
26. Osram Enhances Brightness of Blue InGaN LEDs, Compound Semicond., vol. 7, No. I, 2001, p. 7.
27. Dixon R.: Cree and AXT make brighter LED, Compound Semicond., vol. 7, No. 11, 2001, p. 9.
28. Nichia's large-area LED boosts power, Compound Semicond., vol. 8, No. 3, 2002, p. 15.
29. Energy-efficient high-power AlGaN ultraviolet LEDs grown on bulk GaN substrate, Compound Semicond., vol. 7, No. 10, 2001, pp. 15-39.
30. Cree and Rohm Form Blue LED and Laser Alliance, Compound Semicond., vol. 7, No. 1, 2001, p. 8.

Typ dokumentu

Bibliografia

Identyfikator YADDA

bwmeta1.element.baztech-article-BWA1-0002-0118