SIC : półprzewodnik do przyrządów pracujących w podwyższonej temperaturze

• Autorzy: Klamka J.
• Języki publikacji: PL

Słowa kluczowe

PL

materiały półprzewodnikowe; węglik krzemu; SiC

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronizacja : podzespoły i zastosowania elektroniki
• Rocznik: 2003
• Tom: Vol. 23, nr 2
• Strony: 26--30
• Opis fizyczny: Bibliogr. 28 poz.

Twórcy

autor

Klamka J.

Bibliografia

• 1. Klamka J.: Heterozłączowe przyrządy półprzewodnikowe na zakres mikrofal i fal milimetrowych. Agencja Lotnicza ALT AIR Sp. z o.o. przy współpracy z CNPEP RADW AR S.A., 2002.
• 2. Casady J. B., John on R. W.: Status of silicon carbide (SiC) as a wide-bandgap semiconductor for high-temperature applications: a review. Solid-State Electr., vol. 39, no. 10, pp. 1409-1422, 1996.
• 3. Januszewski S.: Węglik krzemu - półprzewodnik dla wysokotemperaturowych przyrządów energoelektronicznych. Wiadomości Elektrotechniczne nr 3, s. 106-11O, 2001.
• 4. Trew R. J. et al.: The potential of diamond and SiC electronic device for microwave and millimeter - wave power application. Proc IEEE, vol. 79, no. 5, pp. 598-700, 1991.
• 5. O'Connor J. R. and Smiltens J., eds.: Silicon carbide high temperature semiconductor. Pergamon, Oxford 1960.
• 6. De Jule R.: Technology News. Emerging technologies. Semiconductor Intern, pp. 467, Jan., 1999.
• 7. Tsvetkov V. F., Allen S. T. Kong H. S., Carter Jr. C. H. : Recent progress in SiC crystal growth. Intern. Conf. on SiC and Related Materials, Kyoto, Japan 1995.
• 8. Tyc S., Arnodo C.: Silicon carbide: analisis of a breaktrough. Revue Technique Thomson-CSF, vol. 26, no. 2, pp. 467-485, Juin 1994.
• 9. Bhatanagar M., Baliga B. J.: Comparison of 6H-SiC, 3C-SiC and Si for power devices. IEEE Trans. El. Dev., vol. 30, no. 3, pp. 645-655, 1993.
• 10. Augustine A. G. et al: SiC electronics. JEDM '96, pp. 225-230.
• 11. Yoder M. N.: Wide bandgap semiconductor materials and devices. IEEE Trans. Electron Dev., vol 43, 4010, pp.1633- 1636, 1996.
• 12. Morisett D. T., Cooper J. A., Melloch M. R., Dolny G. M., Shenoy P. M., Zafrani M., Gladish J.: Static and dynamic characterization of large - area high - current - density SiC Schottky diodes. IEEE Trans. Electron Dev., vol. 48, 402, pp. 349-352, 2001.
• 13. Weitzel Ch. E., Palmour J. W., Carter Jr. C. H., Moore K., Nordquist K. J., Allen S., Tchero Ch. Bhatnager M.: Silicon Carbide High-Power Devices. IEEE Trans. Electron Dev., vol. 43, no 10, pp. 1732-1741, 1996.
• 14. Schoen K. J., Woodall J. M., Cooper Jr. J. A., Mel loch M. R.: Design considerations and experimental analysis of high - voltage SiC Schottky barrier rectifier. IEEE Tran . Electron Dev. no. 7, pp. 1595-1604, 1998.
• 15. Itoh A. , Kimoto T., Matsunami H.: Excellent rever e blocing characteristics of high - voltage 4H-SiC Schottky rectifier with baron - implanted edge terminali on. IEEE Electron Dev. Lett, vol. 17, no. 3, pp. 139-141, 1996.
• 16. Saxena V., Nong (Jim) Su J., Stecki A. J.: High-voltage Ni - and Pt - SiC Schottky diode utilizing metal field plate termination. IEEE Trans. El. Dev., vol. 46, no. 3, pp. 456-464, 1999.
• 17. Singh R., Cooper J. A., MeJloch M. R., Chow T. P., Palrnour J. W.: SiC power Schottky and PiN diodes. IEEE Trans. Electron Dev., no. 4, pp. 665-672, 2002.
• 18. Cooper Jr. J.A. , Melloch M.R. , Singh R., Palmour J.W.: Status and prospects for SiC power MOSFET. IEEE Trans. Electron Dev., vol. 49, no. 4, pp. 658-663, 2002.
• 19. Wang J., Williams B. W.,: Evaluation of high - voltage 4H-SiC switching devices. IEEE Trans. El. Dev., vol. 46, no. 3, pp. 589-597, 1999.
• 20. Baliga B. J.: Trends in power semiconductor devices. IEEE Trans. Electron Dev., vol. 43, no. 1O, pp. 1717-1731, 1996.
• 21. Eriksson J. , Norsman N. , Zirath H.: Microwave silicon carbide Schottky diodes. Electronic Lett., vol. 37, no. 4, pp. 250-252, 2001.
• 22. Siram S., Augustine G., BurkJr. A.A. , Glas R.C. , Hobgood H.M., Orphans P.A., Rowland L.B., Smith T.J., Brand C.D., Driver M.C., Hopkins R.H.: 4H-SiC MESFET's with 42 GHz fmax. IEEE Electron Dev. Lett., vol. 17, no. 7, pp. 369-371, 1996.
• 23. Sirarn S., et al: RF performance of SiC MESFET's on high sen ivitysub trats. IEEE Electron Dev. Lett., vol. 15, no. 11, pp. 458-459.
• 24. Sung Y. M., Casady J. B., Dufrence J. B., Agarwal A. K.: A review of SiC static induction transi tor development for high-frequency power amplifiers. Sol.-St. Electronic, vol. 42 (2002) pp. 605-613.
• 25. Kumar V., Lu W., Schwindt R., Kuliev A., Simin G., Yang J., Asif Khan M., Adesida J.: AlGaN/GaN HEMT on SiC with IT of over 120 GHz. IEEE Electron Dev. Lett., vol.23, no. 8, pp. 455-457, 2002.
• 26. Klamka J.: Mikrofalowe przyrządy półprzewodnikowe. WNT, Warszawa 1982.
• 27. Aroutiounian V. M., Buniatyan V. V., Soukia sian P. : Microwave characterislics of BARITI diode ba ed on silicon carbide. IEEE Tran. El. Dev. vol. 46, no. 3, pp. 585-588, 1999.
• 28. Davis R. F., Palmour J. W., Edmond J. A.: A review of the status of diarnond and silicon carbide device for high-power, temperature and frequency application IEDM 90, pp. 785-788.