Infrared radiation from GaAs : Si structures with I-h junctions

• Autorzy: Pułtorak J.
• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

Results of investigations of GaAs:Si p⁺ -p-p⁺ structures with the exponentially inhomogeneous base region are presented. An emission of infraret radiation with a positive temperature coefficient of the radiation power is observed.

• Wydawca: Institute of Electron Technology
• Czasopismo: Electron Technology
• Rocznik: 2000
• Tom: Vol. 33, No. 3
• Strony: 467--468
• Opis fizyczny: Bibliogr. 2 poz.

Twórcy

autor

Pułtorak J.

• Institute of Electron Technology, al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa, Poland