Influence of the band gap profile and the temperature on the transport of excess carriers on the isotype HgCdTe/CdTe heterojunction

• Autorzy: Pułtorak J. , Piotrowski T.
• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

Results of numerical calculation of excess current carrier distributions in the HgCdTe/CdTe structure for different profiles of the energy gap and the temperature are presented and discussed.

• Wydawca: Institute of Electron Technology
• Czasopismo: Electron Technology
• Rocznik: 2000
• Tom: Vol. 33, No. 4
• Strony: 553--557
• Opis fizyczny: Bibliogr. 6 poz

Twórcy

autor

Pułtorak J.

autor

Piotrowski T.

• Institute of Electron Technology, al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa, Poland