Tytuł artykułu
Wybrane pełne teksty z tego czasopisma
Identyfikatory
Warianty tytułu
Konferencja
The E-MRS European Conference on Photovoltaics ; ( 25.10-27.10.1999)
Języki publikacji
Abstrakty
Research of structural changes in subsurface layers of Si single crystals during formation of amorphous layers hidden under the surface are carried out. It is established that phosphorus ion (with 180 keV energy and a doze of the order of 10¹⁵ ion/cm²) implantation and subsequent short-term temperature annealing at T = 500°C are caused great structural changes in subsufrace areas. The great strains in direction perpendicular to interface are characteristic of structures formed in this way.
Słowa kluczowe
Wydawca
Czasopismo
Rocznik
Tom
Strony
421--425
Opis fizyczny
Bibliogr. 11 poz.
Twórcy
autor
autor
autor
autor
autor
autor
- Institute of Melallurgy and Materials Science, Polish Academy of Sciences, 25 Reymonta Str., 30-059 Cracow, Poland, ifodchuk@phys.chsu.cv.ua
Bibliografia
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BWA1-0001-1030