Powiadomienia systemowe
- Sesja wygasła!
- Sesja wygasła!
- Sesja wygasła!
Tytuł artykułu
Autorzy
Wybrane pełne teksty z tego czasopisma
Identyfikatory
Warianty tytułu
Konferencja
The E-MRS European Conference on Photovoltaics ; ( 25.10-27.10.1999)
Języki publikacji
Abstrakty
Thin film solar cells based on polycrystalline CIGS absorbers are one of the most promising candidates for the low-cost and efficient large-scale solar energy conversion devices. Electronic transport properties of ZnO/CdS/Cu(In,Ga)Se₂ solar cells were investigated by means of admittance measurements in a frequency range from 600 Hz to 1 MHz and a temperature range from 80 to 300 K. Dependent on the sample under investigation, one characteristic frequency (inflection point) corresponding to an activation energy between 80 and 160 meV or two points corresponding to an activation energy about 400 meV have been observed. Analysis of the measured frequencies and obtained activation energies provides information on the equilibrium Fermi level position at the CdS/CIGS interface.
Słowa kluczowe
Wydawca
Czasopismo
Rocznik
Tom
Strony
378--381
Opis fizyczny
Bibliogr. 9 poz.
Twórcy
autor
autor
autor
- Faculty of Physics, Warsaw University of Technology, 75 Koszykowa Str., 00-662 Warsaw, Poland, kuba@mech.pw.edu.pl
Bibliografia
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BWA1-0001-1019