Growth and optical properties of Nd:YVO₄ laser crystals

• Autorzy: Kaczmarek S. M. , Łukasiewicz T. , Giersz W. , Jabłoński R. , Jabczyński J. K. , Świrkowicz M. , Gałązka Z. , Drozdowski W. , Kwaśny M.
• Konferencja: The International Conference on Solid State Crystals '98 (ICSSC '98) ; (12.09-16.09.1998) ; Zakopane, Poland
• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

Growth conditions for Nd:YVO₄ crystals and some optical properties are presented. The obtained Nd:YVO₄ crystal shows lower content of point defects and consequently, lower susceptibility to ionising radiation. ESR measurements show the presence of V ions in intersitial sites with another than 5t valency. Obtained by Czochralski method crystals reveal very good optical properties, some of which are better than for Nd:YAG.

Słowa kluczowe

EN

crystal growth; absorption; electron spin resonance; gamma and electron irradiations

• Wydawca: Stowarzyszenie Elektryków Polskich ; Polska Akademia Nauk ; Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
• Czasopismo: Opto-Electronics Review
• Rocznik: 1999
• Tom: Vol. 7, No. 2
• Strony: 149--152
• Opis fizyczny: Bibliogr. 5 poz.

Twórcy

autor

Kaczmarek S. M.

autor

Łukasiewicz T.

autor

Giersz W.

autor

Jabłoński R.

autor

Jabczyński J. K.

autor

Świrkowicz M.

autor

Gałązka Z.

autor

Drozdowski W.

autor

Kwaśny M.

• Institute of Optoelectronics, MUT, 2 Kaliskiego Str., 00-908 Warszawa, Poland,