Characterization of oxidized porous silicon layer in FIPOS structure

• Autorzy: Domański K. , Półrolnik E. , Beck R. B. , Brzozowski A.
• Konferencja: Symposium "Diagnostic and Yield : SOI-Materials, Devices and Characterization" (4 ; 22-24.04.1998 ; Warsaw, Poland)
• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

Silicon anodization and porous silicon oxidation for SOI devices applications requires among others deternination of device layer isolation quality. This work reports an investigation of basic electrical properties (dielectric constant, fixed oxide charge, electrical immunity) of oxidized porous silicon in metal-oxide-semiconductor and semiconductor-insulator-semiconducor capacitors.

• Wydawca: Institute of Electron Technology
• Czasopismo: Electron Technology
• Rocznik: 1999
• Tom: Vol. 32, No. 1/2
• Strony: 170--174
• Opis fizyczny: Bibliogr. 3 poz.

Twórcy

autor

Domański K.

autor

Półrolnik E.

autor

Beck R. B.

autor

Brzozowski A.

• Institute of Microelectronics and Optoelectronics, Warsaw Univesity of Technology, ul. Koszykowa 75 00-662 Warszawa, Poland