Transport nośników nadmiarowych w półprzewodniku jednorodnie domieszkowanym z uwzględnieniem zjawisk termicznych

• Autorzy: Sikorski S. , Piotrowski S. , Pułtorak J.
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W oparciu o termodynamikę procesów nieodwracalnych wyprowadzono wzory na strumień energii, gęstość prądu elektronowego i dziurawego oraz ich równania ciągłości przy nieobecności pola magnetycznego. Wyodrębniono poszczególne zjawiska elektryczne termiczne i termoelektryczne, wyprowadzono równanie przewodnictwa cieplnego z równania ciągłości strumienia energii. Przez odpowiedni dobór zmiennych wyprowadzone równania tworzą układ równań różniczkowych nadający się do obliczeń przy poszukiwaniu potrzebnego rozwiązania. Dzięki temu, że układ równań zawiera jednocześnie zjawiska przewodnictwa elektrycznego i cieplnego jest możliwe ścisłe rozwiązanie przypadku własnego ogrzewania się struktury w czasie jej pracy. Układ równań transportu podano dla przypadku ogólnego przy zastosowaniu zasady neutralności oraz w przypadku jednowymiarowym. Omówiono równania zależne od czasu i stacjonarne. Wszystkie wzory obejmują przypadek półprzewodnika zdegenerowanego. Funkcje korekcyjne są wyliczone z dokładnością drugiego rzędu względem koncentracji nośników ładunku.

• Wydawca: Instytut Technologii Elektronowej
• Czasopismo: Prace Instytutu Technologii Elektronowej
• Rocznik: 1998
• Tom: z. 1
• Strony: 1--54
• Opis fizyczny: Bibliogr. 8 poz., wzory

Twórcy

autor

Sikorski S.

• Instytut Technologii Elektronowej, Al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa Polska

autor

Piotrowski S.

• Instytut Technologii Elektronowej, Al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa Polska

autor

Pułtorak J.

• Instytut Technologii Elektronowej, Al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa Polska