Tytuł artykułu
Autorzy
Identyfikatory
Warianty tytułu
Konferencja
Seminar on Surface and Thin Film Structures (5 ; 23-26.09.1997 ; Ustroń, Poland)
Języki publikacji
Abstrakty
The steady state photocarrier grating (SSPG) technique has been used for determining diffusion lenght of carriers in amorphous hydrogenated silicon (α-Si:H). The novelty of the presented paper is consistent in the taking into account the spatial distribution of radiation internally reflected in the thin film as well as by the influence of radiation reflectance in the thin film substrate.
Słowa kluczowe
Wydawca
Czasopismo
Rocznik
Tom
Strony
420--424
Opis fizyczny
Bibliogr. 12 poz.
Twórcy
autor
autor
- Institute of Physics, Silesian Technical University, ul. Krasińskiego 8, 40-019 Katowice, P.O.Box 221, Poland, starczew@polsl.katowice.pl
Bibliografia
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BWA1-0001-0279