Analysis of the interface energy in GaInPAs/Si structures during liquid phase epitaxy

• Autorzy: Olchowik J. M. , Zdyb A. , Szymczuk D. , Mucha J. , Zabielski K. , Sadowski W. , Mucha M.
• Konferencja: Seminar on Surface and Thin Film Structures (5 ; 23-26.09.1997 ; Ustroń, Poland)
• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

This paper presents the numerical analysis of the dependence of pseudopotential energy on substrate orientation for A^IIIB^V compounds on Si substrate. The aim on this work was to find optimal coupling conditions of such heterostructurtes during liquid phase epitaxy. The structures of this type can be used to modern fotovoltaic device fabrication.

• Wydawca: Institute of Electron Technology
• Czasopismo: Electron Technology
• Rocznik: 1998
• Tom: Vol. 31, No. 3/4
• Strony: 354--357
• Opis fizyczny: Bibliogr. 7 poz.

Twórcy

autor

Olchowik J. M.

autor

Zdyb A.

autor

Szymczuk D.

autor

Mucha J.

autor

Zabielski K.

autor

Sadowski W.

autor

Mucha M.

• Institute of Physics, Technikal University of Lublin, 20-618 Lublin, ul. Nadbystrzycka 38, Poland,