Tytuł artykułu
Identyfikatory
Warianty tytułu
Konferencja
Polish-Japanese Joint Seminar on Materials Analysis (1-3.09.1997 ; Warsaw, Poland)
Języki publikacji
Abstrakty
The prupose of this paper is to show the applicaton of combined techniques (TEM, XRD, PL) for characterising the influence of the layer thicknees and indium content in InxGa₁₋xAs alloy on structural perfection of the InxGa₁₋xAs/GaAs heterostructure. As examples heterostructures with: a) In₀.₂Ga₀.₈As layers embedded in a GaAs matrix; b) InxGa₁₋xAs multilayers consisting of layers of different indium content and c) an index-graded InxGa₁₋xAs layer (x=0.01 ÷ 0.53) grown on a GaAs substrate were chosen. Determination of exact thicknees of each layer, alloy composition, and perfection of interfaces are crucial questions in developing technologies based on these heterostructures.
Słowa kluczowe
Wydawca
Czasopismo
Rocznik
Tom
Strony
197--201
Opis fizyczny
Bibliogr. 5 poz.
Twórcy
autor
autor
autor
autor
autor
autor
autor
autor
- Institute of Electron Technilogy, 02-668 Warszawa al. Lotników 32/46, Poland
Bibliografia
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BWA1-0001-0184