Perspektywy polowych źródeł elektronów w technice mikrofalowej

• Autorzy: Borkowicz Z. , Czarczyński W. , Sobański J.

Warianty tytułu

EN

Perspectives of applications of field electron sources in microwave technology

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Praca zawiera krótkie omówienie zasad działania oraz najważniejszych problemów mikroelektroniki próżniowej w zastosowaniach mikrofalowych. Dokonano przeglądu aktualnych osiągnięć teoretycznych i doświadczalnych w zakresie stosowania emiterów potowych w przyrządach mikrofalowych, mikroelektronicznych jak i konwencjonalnych. Przedstawiono przykłady najciekawszych rozwiązań. Omówiono krajowe prace w tej dziedzinie.

• Wydawca: Przemysłowy Instytut Telekomunikacji
• Czasopismo: Prace Przemysłowego Instytutu Telekomunikacji
• Rocznik: 1998
• Tom: Vol. 47, nr 121
• Strony: 46--51
• Opis fizyczny: Bibliogr. 17 poz.

Twórcy

autor

Borkowicz Z.

autor

Czarczyński W.

autor

Sobański J.

Bibliografia

• [1] Shoulders K.: Research in microelectronics using electron-beam activated machining techniques. NRL Report, 1960, p. 2887.
• [2] Gray H. F.: Silicon field emitter arrays. Proc., 29th Int. Field Emission Symp. Goeteborg, 1982, p. 111.
• [3] Spindt C. A., Brodie I., Humprey L., Westerberg E. R.: Physical properties of thin-film emission cathodes with molybdenum cones. J. Appl. Phys. 47, 1976, pp. 5248-63.
• [4] Dayton J., Heien V., Stankiewicz N., Wallet T.: Submilimeter backward wave oscillators. Int. Journal of Infrared and Milimeter Waves 8, 1987, pp. 1257-68.
• [5] Utsumi T.: Vacuum microelectronics: What’s new and exciting, 3rd Int. Conf. on Vacuum Microelectronics, Monterey, CA, 1990.
• [6] Brodie I.: Physical considerations in vacuum microelectronics devices, IEEE Trans. on Electron Dev. vol. 36, No 11, 1989, pp. 2641-44.
• [7] Spindt C. A.: Holland С. E., Rosengreen A., Brodie I.: Field-emitter-array development for high-frequency operation. J. Vac. Sci. Technol. В 11, 2, 1993, pp. 468-73,
• [8] Czarczyński W., Sobański J.: Application of field-emitter-arrays to the microwave tubes. Proc. Int. Microwave Conf. Mikon’94, Książ, 1994, p. 207.
• [9] Palmer W. D., Mancusi J. E., Ball C. A., Joines W. T., McGuire G. E., Temple D., Vellenga D. G., Yadon L.: Measured DC performance of large arrays of silicon field emitters, IEEE Trans. on Electron Dev., vol. 41, 1994, pp. 1866-70.
• [10] Kosmahl H.: A wide-bandwidth high-gain small-size distributed amplifier with field-emission triodes (FETRODES’s) for the 10 to 300 GHz frequency range, IEEE Trans. on Electron Dev. vol. 36, No 11, 1989, pp. 2728-37.
• [11] Busta H. H., Pogemiller J. E., Chan W.: Experimental and theoretical determinations of gate-to-emitter stray capacitances of field emitters. J. Vac. Sci. Technol. B, 11, 2, 1993, pp. 445-8.
• [12] Gruer N.C., Johnson A.C., McKnight S.W., Schwab W. C., Chan C., Tong S.: Prospects for a 1-THz vacuum microelectronic microstrip amplifier. IEEE Trans. on Electron Dev., vol. 38, No 3, 1991, pp. 666-71.
• [13] Ganguly A. K., Philips P. M., Gray H. F.: Linear theory of a field-emitter-array distributed amplifier. J. Appl. Phys. 67, 1990, pp. 7098-110.
• [14] Smith S.T., Chayt G. A.: Transmission-line amplifiers. IEEE Trans. on Electron Dev. 39, 9, 1992, pp. 2165-71.
• [15] Tang Cha-Mei, Lau Y. Y., Swyden T. A.: Deflection microwave and milimeter-wave amplifiers. J. Vac. ASci. Technol. B, 12, 1994, pp. 790-4.
• [16] Barnett R. L., Baird J. M., Grow R. W.: Submilimeter BWO’s. Techn. Digest of IVMC’88, 3-3, 1988.
• [17] McIntyre P. M., Bizek H. M., Elliot S. M., Nassiri A., Popovic M. B., Raparia D., Swenson C. A., Gray H. F.: Gigatron. IEEE Trans. on Electron Dev. 36, 11, 1989, pp. 2720-7.