Drgania pasożytnicze poniżej częstotliwości roboczej w rezonansowych wzmacniaczach mocy z obwodem wyjściowym typu π1a

• Autorzy: Modzelewski J.

Warianty tytułu

EN

Parasitic oscillations below operating frequency in resonant power amplifiers with π1a output circuit

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Typowym czwórnikiem stosowanym jako obwód wyjściowy w tranzystorowych rezonansowych wzmacniaczach mocy w. cz. jest obwód typu π1. Zapewnia on niski poziom harmonicznych w sygnale wyjściowym oraz możliwość dopasowania obciążenia o rezystancji mniejszej, równej albo większej od rezystancji wymaganej przez tranzystor. Obwód π1 jest często stosowany w zmodyfikowanej wersji z dodatkowym kondensatorem włączonym szeregowo z cewką w celu zredukowania jej reaktancji, nazywanym obwodem π1a. We wzmacniaczach z takim obwodem mogą powstawać drgania pasożytnicze na częstotliwościach poniżej częstotliwości roboczej. W artykule wykazano, że takie drgania są powodowane przez rezonans między indukcyjnością dławika w obwodzie zasilania a pojemnością wejściową obwodu π1a. Wykazano również, że drgania te mogą być usunięte, jeśli zamiast indukcyjnego dławika w. cz. zastosujemy dławik rezonansowy dostrojony do częstotliwości roboczej.

EN

A typical network used as the output reactive filter in high-frequency transistor tuned power amplifiers is the π1 resonant circuit. It ensures low harmonic distortions in the output signal and can match the load the resistance of which is lower, equal or higher than the optimum value required by the transistor. The π1 resonant circuit is often used in a modified version with the additional capacitor connected in series with the coil to reduce its reactance (so-called π1a circuit). In amplifiers with the π1a circuit parasitic oscillations are often generated at the frequencies below the operating frequency. In the paper there is shown that the parasitic oscillations are caused by the high-quality-factor resonance between the inductance of the DC supply RF choke and the input capacitance of the π1a circuit. It was also proven that these oscillations can be eliminated if the inductive RF choke is replaced by the resonant choke tuned to the operating frequency.

Słowa kluczowe

PL

wzmacniacz klasy C; dławik w.cz.; obwód rezonansowy; tłumienie drgań pasożytniczych; dławik rezonansowy

EN

class-C amplifier; RF choke; resonant circuit; suppression of parasitic oscillations; resonant choke

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2009
• Tom: Vol. 50, nr 4
• Strony: 28--31
• Opis fizyczny: Bibliogr. 8 poz., tab., wykr.

Twórcy

autor

Modzelewski J.

• Politechnika Warszawska, Instytut Radioelektroniki

Bibliografia

• [1] Ryżko St., Ebert J.: Wzmacniacze rezonansowe i generatory mocy wielkiej częstotliwości. Wyd. 2, WNT, Warszawa 1971.
• [2] Kazimierczuk M.: Tranzystorowy wzmacniacz mocy wielkiej czestotliwości o podwyższonej sprawności. Rozprawa doktorska, Politechnika Warszawska, Wydz. Elektroniki, Warszawa 1977.
• [3] Ebert J.: Optymalizacja obwodów rezonansowych dużej mocy w. cz. Rozprawa habilitcyjna, Politechnika Warszawska, Wydz. Elektroniki, Warszawa 1968.
• [4] Kovats R.: High-Frequency Applications of Semiconductor Devices. Akademiai Kiado, Budapest 1981.
• [5] Crips S. C.: RF Power Amplifiers for Wireless Communications. Artech House, Boston, London, 1999.
• [6] Dryja P.: Rezonansowy wzmacniacz klasy C do laboratorium studenckiego. Praca dyplomowa inżynierska, Instytut Radioelektroniki Politechniki Warszawskiej, Warszawa 2002.
• [7] Modzelewski J.: Uproszczona metoda projektowania rezonansowych wzmacniaczy mocy wielkiej częstotliwości z tranzystorami MOSFET. Elektronika, nr 11/2007, ss. 51-53.
• [8] Modzelewski J.: Nietypowe drgania pasożytnicze w rezonansowym wzmacniaczu mocy z obwodem p1a. IV Krajowa Konferencja Elektroniki KKE IV, Kołobrzeg, 13 -15 czerwca 2005, Politechnika Koszalińska, Wydz. Elektroniki, mat. konf. t. 1, ss. 85-90.