Tytuł artykułu
Autorzy
Identyfikatory
Warianty tytułu
Rapid thermal annealing (RTA) system
Języki publikacji
Abstrakty
Formowanie i wtapianie kontaktów metalicznych, szczególnie do półprzewodników z szeroką przerwą wzbronioną, wymaga krótkich czasów procesu oraz wysokich temperatur. Klasyczne wygrzewanie w piecu oporowym nie spełnia wymagań zaawansowanej elektroniki. Dlatego opracowano i wykonano urządzenie RTA do szybkiej obróbki termicznej. Szeroki zakres temperatur pracy urządzenia (200...1000°C) oraz w pełni programowalny profil temperatury powodują, że jest to doskonałe urządzenie badawcze o szerokim spektrum aplikacji. W urządzeniu zastosowano od 1 do 14 halogenowych promienników podczerwieni o mocy 1,6 kW każdy, promienniki z powłoką tlenku aluminium zwiększającą sprawność przekazywania mocy, reaktor od strony wlotu gazu, zakończony jest specjalną głowicą umożliwiającą jednorodne wymieszanie gazów technologicznych. Szybkie chłodzenie próbki zapewnia podstawa grafitowa o małej masie i wymiarach 30 x 6 x 2 mm.
Post-deposition annealing of a multilayer metallization, for a wide band-gap semiconductors in particular, must be performed in short time and high temperature. Annealing in a classical resistance furnace can not fulfill requirements of the advanced microelectronic devices. This is the reason why we design and set up a rapid thermal annealing (RTA) system. Wide temperature range of the RTA system (200...1000°C) and full-programmable temperature profile caused that this system is dedicated for research and can find wide range of application. The system can be equipped with one to fourteen short wavelength halogen-IR-emitters 1.6 kW each, with integrated alumina ceramic reflector. The application of a reflector increases the efficiency of transfer of IR power. Low mass of graphite susceptor of a dimension 30 mm x 6 mm x 2 mm allows the fast cooling of a sample. The reactor have a specialized input head which allows the uniform mixing of technological gases.
Słowa kluczowe
Wydawca
Rocznik
Tom
Strony
37--38
Opis fizyczny
il., wykr.
Twórcy
autor
autor
- Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki
Bibliografia
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BWA0-0026-0010
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.