Identyfikatory
Warianty tytułu
Języki publikacji
Abstrakty
The paper presents a theory of a metal-semiconductor contact biased by dc voltage with superimposed small ac signal. Theoretical considerations based on general transport equations enabled to derive equations useful for admittance and impurity profiling measurements of materials properties.
Wydawca
Czasopismo
Rocznik
Tom
Strony
1--5
Opis fizyczny
Bibliogr. 6 poz.
Twórcy
autor
- Institute of Electron Technology, al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa, Poland
autor
- Institute of Electron Technology, al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa, Poland
Bibliografia
- 1. D. K. SCHROEDER, Semiconductor Materials and Devices Characterization, 2nd ed. New York, 1998
- 2. W. JUNG, A. MISIUK, D. YANG, Nucl. Instr. & Meth. Phys. Res B 2006, 253, 214-216.
- 3. YASUO KOIDE, S. KOIZUMI, H. KANDA, Appl. Phys. Lett., 2005, 86, 232105
- 4. W. SHOCKLEY, Bell Syst. T. J., 1949, 28, 435-439.
- 5. S. SIKORSKI, W. JUNG, Electron Technol., 2000, 33, 4, 481-493
- 6. C. R. CROWELL, S. M. SHE, Solid. St. Electron., 1966, 9, 1035-1048
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BWA0-0022-0001