Modelling of Schottky contacts for admittance and impurity profiling measurements

• Autorzy: Sikorski S. , Jung W.
• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

The paper presents a theory of a metal-semiconductor contact biased by dc voltage with superimposed small ac signal. Theoretical considerations based on general transport equations enabled to derive equations useful for admittance and impurity profiling measurements of materials properties.

Słowa kluczowe

EN

Schottky diodes; modelling; Schottky barrier photodiodes; semiconductor devices

PL

diody Schottky'ego; modelowanie; detektory z barierą Schottky'ego; przyrządy półprzewodnikowe

• Wydawca: Institute of Electron Technology
• Czasopismo: Electron Technology : Internet Journal
• Rocznik: 2007
• Tom: Vol. 39, nr 5
• Strony: 1--5
• Opis fizyczny: Bibliogr. 6 poz.

Twórcy

autor

Sikorski S.

• Institute of Electron Technology, al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa, Poland

autor

Jung W.

• Institute of Electron Technology, al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa, Poland

Bibliografia

• 1. D. K. SCHROEDER, Semiconductor Materials and Devices Characterization, 2nd ed. New York, 1998
• 2. W. JUNG, A. MISIUK, D. YANG, Nucl. Instr. & Meth. Phys. Res B 2006, 253, 214-216.
• 3. YASUO KOIDE, S. KOIZUMI, H. KANDA, Appl. Phys. Lett., 2005, 86, 232105
• 4. W. SHOCKLEY, Bell Syst. T. J., 1949, 28, 435-439.
• 5. S. SIKORSKI, W. JUNG, Electron Technol., 2000, 33, 4, 481-493
• 6. C. R. CROWELL, S. M. SHE, Solid. St. Electron., 1966, 9, 1035-1048