Analiza wpływu temperatury na właściwości impulsowe diod Schottky'ego mocy

• Autorzy: Zarębski J. , Dąbrowski J. , Bisewski D.

Warianty tytułu

EN

The analysis of temperature influence on switching behaviour of the power Schottky diodes

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Praca dotyczy problematyki modelowania w programie SPICE wpływu temperatury na zależność pojemności złączowej diody od napięcia polaryzacji oraz charakterystyk wyłączania diod Schottky'ego mocy. Dokonano oceny dokładności modelu diody wbudowanego w tym programie przez porównanie wyników symulacji z wynikami pomiarów krzemowej diody Schottky'ego oraz diody Schottky'ego z węglika krzemu, przeprowadzonych w szerokim zakresie zmian temperatury otoczenia. Zaproponowano nowe zależności opisujące wpływ temperatury na wybrane parametry rozważanego modelu diody oraz zmodyfikowano ich wartości biblioteczne, w wyniku czego uzyskano znaczną poprawę zgodności wyników obliczeń i pomiarów charakterystyk rozważanych elementów.

EN

In the paper the usefulness of the SPICE built-in diode model in modelling dynamic properties of the Si and SiC Schottky diodes, is investigated. The quality of Schottky diodes modelling is estimated by measurements. Due to the unacceptably differences between measurements and calculations performed by SPICE with the use of the available library parameter original values, some modifications of the model have been proposed.

Słowa kluczowe

PL

dioda Schottky'ego; SPICE; modelowanie; charakterystyka impulsowa

EN

Schottky diode; SPICE; modelling; switching characteristics

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2007
• Tom: Vol. 48, nr 2
• Strony: 18--20
• Opis fizyczny: Bibliogr. 16 poz., wykr.

Twórcy

autor

Zarębski J.

autor

Dąbrowski J.

autor

Bisewski D.

• Akademia Morska w Gdyni, Katedra Elektroniki Morskiej

Bibliografia

• [1] Połowczyk M., Klugmann E.: Przyrządy półprzewodnikowe. Wydawnictwo PG, Gdańsk 2001.
• [2] Stepowicz W. J.: Elementy półprzewodnikowe i układy scalone. Wydawnictwo PG, Gdańsk 1999.
• [3] Marciniak W.: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone. WNT, Warszawa 1979.
• [4] Wolf H. F.: Semiconductors, John Wiley & Sons, New York 1971.
• [5] http://www.onsemi.com/PowerSolutions/product.do?id=MBR20200CT.
• [6] http://www.cree.com/products/power_docs.asp.
• [7] Antognetti P., Massobrio G.: Semiconductor Device Modeling with SPICE. McGraw-Hill Book Company, 1988.
• [8] PSpice Reference Guide. Product Version 10.0, ss. 146-151.
• [9] Wilamowski M. B., Jaeger R. C.: Computerized Circuit Analysis Using SPICE Programs. McGraw-Hill Book Company, 1997.
• [10] Shur M.: Introduction to Electronic Devices. John Wiley & Sons, 1996.
• [11] Dąbrowski J., Zarębski J.: Analiza wpływu temperatury na warunki komutacji diod Schottky'ego mocy. Konferencja ZKwE'2006, Poznań 2006, ss. 191-192.
• [12] MBR20200CT.LIB (ze strony internetowej firmy ON Semiconductor).
• [13] CPWR-PSpice Rev-A.zip/CREE Schottky.lib (ze strony internetowej firmy Cree).
• [14] Dąbrowski J., Zarębski J.: Modelowanie krzemowych diod Schottky'ego w programie SPICE. Konferencja ZKwE'2004, Kiekrz 2004, ss. 349-352.
• [15] Górecki K., Stepowicz W. J., Zarębski J.: Laboratorium z elementów półprzewodnikowych. Wydawnictwo Akademii Morskiej w Gdyni, Gdynia 2003.
• [16] Zimny P., Karwowski K.: SPICE - Klucz do Elektrotechniki. Wydawnictwo PG, 1998.