Tytuł artykułu
Autorzy
Identyfikatory
Warianty tytułu
Semiconducting diamond
Języki publikacji
Abstrakty
Właściwości diamentu jako półprzewodnika krystalicznego o szerokiej przerwie energetycznej przedstawiono w porównaniu do krzemu. W tym kontekście omówiono możliwości domieszkowania akceptorowego i donorowego diamentu, rezystywność elektryczną, przewodność cieplną, wytrzymałość na przebicie i prędkość nasycenia swobodnych elektronów i dziur. Przedstawiono wpływ temperatury, światła, pola magnetycznego i naprężeń mechanicznych na rezystywność i oszacowano wartość piezorezystywności diamentu. Wskazano, że diament jako półprzewodnik domieszkowany ma właściwości atrakcyjne do zastosowań elektronicznych w zakresie wysokich temperatur i dużych mocy cieplnych.
Diamond as semiconducting, wide band gap crystalline material in comparision with silicon is reviewed. The acceptor and donor doping possibilities, electrical resistivity and thermal conductivity of diamond as well as high electric-field breakdown are discussed. The influence of temperature, light, magnetic field intensity and mechanical strain on electrical resistivity is reported. The range of piezoresistivity of diamond is estimated. It is concluded that diamond as impurity semiconductor can now be considered for a range of high power and heat resistant electronic devices.
Wydawca
Rocznik
Tom
Strony
15--18
Opis fizyczny
Bibliogr. 20 poz., wykr.
Twórcy
Bibliografia
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BWA0-0015-0017
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.