SMIS : nowa struktura unipolarna

• Autorzy: Rosowski A. , Lisik Z.

Warianty tytułu

EN

SMIS : a novel unipolar structure

• Konferencja: Krajowa Konferencja Elektroniki. 5 ; 12-14.06.2006 ; Darłówko Wschodnie, Polska
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Zaprezentowane zostały wyniki symulacji statycznych nowych struktur półprzewodnikowych, określanych jako struktury SMIS. Struktury te należy zaliczyć do grupy przyrządów unipolarnych z izolowaną bramką które wykorzystują właściwości prostujące złącza metal - półprzewodnik. Zaprezentowano podstawowe charakterystyki jednego z przyrządów typu SMIS i podstawowe zjawiska fizyczne istotne dla tego rodzaju struktur. Otrzymane wyniki zestawiono z symulacjami klasycznej struktury tranzystora MOS o analogicznych parametrach konstrukcyjnych.

EN

The results of numerical simulations of novel unipolar semiconductor structure called SMIS have been presented. The structure belongs to the family of isolate gate control devices, in which the rectifier metal - semiconductor junction is applied to form source or dren contacts. The results concerns the steady-state featurs of one of such SMIS structures and have been compared with the results obtained for clasical MOS structure having the same construction parameters.

Słowa kluczowe

PL

przyrządy unipolarne; struktura metal – półprzewodnik; modelowanie przyrządów półprzewodnikowych

EN

unipolar devices; metal - semiconductor structure; semiconductor device modeling

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2006
• Tom: Vol. 47, nr 11
• Strony: 59--64
• Opis fizyczny: Bibliogr. 7 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Rosowski A.

autor

Lisik Z.

• Politechnika Łódzka, Instytut Elektrotechniki Teoretycznej, Metrologii i Materiałoznawstwa

Bibliografia

• [1] Larson J., Synder J.: Schottky Barrier CMOS, Spinnaker Semiconductor 2003.
• [2] Lilenfeld J. E.: U. S. Patent 1, 745, 175, 1930.
• [3] Lepselter M. P., Sze S. M.: SB-IGFET: an insulated-gate field-effect transistor using Schottky-barrier contacts for source and drain. Proc. IEEE, Vol. 56, 1968.
• [4] Podgórski J., Lisik Z. Szmidt J.: SMIS - nowa struktura unipolarna. Proc. ELTE 2000.
• [5] Rosowski A., Owczarek M., Podgórski J.: TCAD jako profesjonalne narzędzie do symulacji przyrządów półprzewodnikowych. II Sympozjum Modelowanie i Symulacja Komputerowa w Technice, Łódź 2003.
• [6] Szmidt J.: Raport z pomiarów tranzystora MIS z bramką Schottky'ego (SMIS), IMIO PW, Warszawa 1998.
• [7] http://www.iemn.univ-lille1.fr/sites_perso/baie/