SVMOS : nowy unipolarny przyrząd mocy

• Autorzy: Podgórski J. , Lisik Z.

Warianty tytułu

EN

SVMOS : the new semiconductor power device

• Konferencja: Krajowa Konferencja Elektroniki. 5 ; 12-14.06.2006 ; Darłówko Wschodnie, Polska
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Przedstawiono koncepcję nowego przyrządu półprzewodnikowego mocy. Wprowadzono zmiany konstrukcyjne do typowego unipolarnego tranzystora mocy VDMOS, polegające na zastąpieniu wyspy źródła złączem Schottky'ego. Wyniki symulacji numerycznych dla zmodyfikowanej struktury w pełni potwierdziły tę nową koncepcję.

EN

The concept of the new semiconductor power device was presented. This solution bases on the conventional VDMOS transistor. In this device was changed the source island on the Schottky contact. Such a numerical investigation performed for a VSMOS structure has been made and its results are presented.

Słowa kluczowe

PL

symulacje numeryczne; przyrządy półprzewodnikowe mocy; MOS

EN

numerical simulation; power semiconductor devices; MOS

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2006
• Tom: Vol. 47, nr 11
• Strony: 53--55
• Opis fizyczny: Bibliogr. 4 poz., wykr.

Twórcy

autor

Podgórski J.

autor

Lisik Z.

• Politechnika Łódzka, Instytut Elektroniki

Bibliografia

• [1] Lisik Z., Podgórski J., Szmidt J.: SMIS - nowa struktura unipolarna. Procedings ELTE, 2000.
• [2] Szmidt J.: Raport z pomiarów tranzystora MIS z bramką Schottky'ego (SMIS). PW, Warszawa, 1998.
• [3] Lisik Z., Szmidt J., Podgórski J.: Wniosek patentowy nr P-341163. Tranzystor polowy z izolowaną bramką.
• [4] Podgórski J., Lisik Z., Langer M.: Numeryczna analiza wpływu parametrów konstrukcyjnych tranzystora VDMOS na jego parametry elektryczne. III Krajowa Konferencja Elektroniki KKE 2004, Kołobrzeg, Materiały konferencyjne, t. 2/2; 15-18 czerwca 2004.