Tytuł artykułu
Autorzy
Identyfikatory
Warianty tytułu
SVMOS : the new semiconductor power device
Konferencja
Krajowa Konferencja Elektroniki. 5 ; 12-14.06.2006 ; Darłówko Wschodnie, Polska
Języki publikacji
Abstrakty
Przedstawiono koncepcję nowego przyrządu półprzewodnikowego mocy. Wprowadzono zmiany konstrukcyjne do typowego unipolarnego tranzystora mocy VDMOS, polegające na zastąpieniu wyspy źródła złączem Schottky'ego. Wyniki symulacji numerycznych dla zmodyfikowanej struktury w pełni potwierdziły tę nową koncepcję.
The concept of the new semiconductor power device was presented. This solution bases on the conventional VDMOS transistor. In this device was changed the source island on the Schottky contact. Such a numerical investigation performed for a VSMOS structure has been made and its results are presented.
Wydawca
Rocznik
Tom
Strony
53--55
Opis fizyczny
Bibliogr. 4 poz., wykr.
Twórcy
Bibliografia
- [1] Lisik Z., Podgórski J., Szmidt J.: SMIS - nowa struktura unipolarna. Procedings ELTE, 2000.
- [2] Szmidt J.: Raport z pomiarów tranzystora MIS z bramką Schottky'ego (SMIS). PW, Warszawa, 1998.
- [3] Lisik Z., Szmidt J., Podgórski J.: Wniosek patentowy nr P-341163. Tranzystor polowy z izolowaną bramką.
- [4] Podgórski J., Lisik Z., Langer M.: Numeryczna analiza wpływu parametrów konstrukcyjnych tranzystora VDMOS na jego parametry elektryczne. III Krajowa Konferencja Elektroniki KKE 2004, Kołobrzeg, Materiały konferencyjne, t. 2/2; 15-18 czerwca 2004.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BWA0-0014-0016