Analiza składu chemicznego obszaru przejściowego w układzie DLC/Si

• Autorzy: Staryga E. , Rogowski J. , Knapik M. , Jarzyńska D. , Cłapa M.

Warianty tytułu

EN

Analysis of chemical composition of interface area in DCL/Si system

• Konferencja: Krajowa Konferencja Elektroniki. 5 ; 12-14.06.2006 ; Darłówko Wschodnie, Polska
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Warstwy diamentopodobnego węgla są atrakcyjnym materiałem ze względu na dużą twardość, odporność chemiczną oraz właściwości elektryczne. Właściwości fizykochemiczne warstw DLC są ściśle związane z warunkami i parametrami procesu osadzania, dlatego też istotne jest zbadanie składu chemicznego warstw oraz ich struktury w zależności od parametrów wytwarzania. Badania składu chemicznego warstw wykonano przy użyciu spektrometrii mas jonów wtórnych TOF-SIMS. Warstwy DLC osadzono na gładkich podłożach krzemowych przy użyciu techniki RF PCVD (13,56 MHz). Warstwy nakładane były przy różnych wartościach ujemnego potencjału autopolaryzacji z zakresu od -60 V do -420 V. Zarejestrowano widma masowe i profile głębokościowe dla powierzchni, objętości i obszaru granicznego układu DLC/Si. W składzie chemicznym warstwy DLC, oprócz węgla, zarejestrowano wodór i tlen. Uzyskane profile głębokościowe wskazują na obecność zanieczyszczeń takich jak żelazo i chrom w obszarze granicznym pomiędzy podłożem a warstwą DLC.

EN

Diamond-like carbon (DLC) films attract considerable interest due to their mechanical hardness, chemical inertness, optical transparency and electrical properties. Those properties are highly influenced by the deposition parameters and in turn should be correlated with chemical composition and structure of the DLC films. In this study the Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry (TOF-SIMS) was used to analyze chemical composition of DLC films deposited at various preparation parameters. The DLC films were deposited on flat Si substrates using Radio Frequency Plasma Chemical Vapour Deposition (RF PCVD 13.56 MHz) method. Deposition of samples was carried out using various negative self-bias voltage of electrode between -60 V and -420 V. Both surface and bulk chemical composition was analyzed for all samples by recorded surface mass spectra and depth profiles respectively.

Słowa kluczowe

PL

DLC; heterostruktura DLC/Si; ToF-SIMS

EN

DLC; heterostructure; DLC/Si; TOF-SIMS

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2006
• Tom: Vol. 47, nr 11
• Strony: 12--14
• Opis fizyczny: Bibliogr. 5 poz., wykr.

Twórcy

autor

Staryga E.

autor

Rogowski J.

autor

Knapik M.

autor

Jarzyńska D.

autor

Cłapa M.

• Politechnika Łódzka, Instytut Fizyki

Bibliografia

• [1] Paryjczak T., Szynkowska M. I.: Spektrometria mas jonów wtórnych z analizatorem czasu przelotu jonów (TOF-SIMS) w badaniach fizykochemicznych powierzchni ciał stałych. Przemysł chemiczny 82/3, pp. 199-206, 2003.
• [2] Haś Z., Mitura S., Wendler B.: Deposition of Thin Diamondlike Films Obtained by Decomposition of Hydrocarbon, in Takagi T. Proc. International Ion Engineering Congress: ISIAT & IPAT'83, Kyoto, Japan, 12-16 Sept., pp. 1143-1145, 1983.
• [3] Okada M.: Analyses of the Si-C bond in the interface between diamond-like carbon film and silicon wafer. Diamond and Related Materials 7, pp. 1308-1319, 1998.
• [4] Szmidt J.: Technologie diamentowe. Diamenty w elektronice. Oficyna Wydawnicza Politechniki Warszawskiej, p. 152, 2005.
• [5] Staryga E., Bąk G. W.: Relation between physical structure and electrical properties of diamond-like carbon thin films. Diamond and Related Materials 14, pp. 23-34, 2005.