Analiza aktualnych trendów rozwojowych w zakresie fizyki i technologii azotkowych laserów złączowych w kontekście możliwości ich wytwarzania na podłożu GaN

• Autorzy: Nakwaski W.

Warianty tytułu

EN

An analysis of recent development trends in physics and technology of the nitride diode lasers with respect to a possibility of their manufacturing on the GaN substrates

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Przedstawiono aktualne trendy rozwojowe w zakresie fizyki i technologii azotkowych laserów złączowych ze szczególnym uwzględnieniem sytuacji, jaką stwarza możliwość wytwarzania tych przyrządów na podłożach z azotku galu (GaN). Lasery azotkowe są obecnie produkowane przez nieliczne ośrodki technologiczne na świecie głównie na podłożach szafirowych lub niekiedy na podłożach z węglika krzemu, czy też z arsenku galu. Powoduje to generację dyslokacji niedopasowania na granicy podłoże - osadzana warstwa, które rozrastają się w trakcie pracy lasera, wywołując w końcu jego raptowną degradację. Podłoża z azotku galu, które obecnie są wytwarzane jedynie w Polsce w Centrum Badań Wysokociśnieniowych PAN w Warszawie, umożliwiłyby produkcję laserów azotkowych nie wykazujących niedopasowania sieci krystalicznej podłoża i osadzanej warstwy, a więc znacznie bardziej niezawodnych od wytwarzanych do tej pory.

EN

In the present paper, an analysis of recent development trends in physics and technology of the nitride diode lasers is presented. New opportunities created by a possible manufacturing of nitride structures on the GaN substrate are considered. So far nitride devices have been mostly grown on sapphire substrates and sometimes on SiC or GaAs substrates. It causes generation of numerous misfit dislocations at the substrate/layer interface which in the process of dislocation multiplication eventually lead to a catastrophic degradation of a device. High Pressure Research Center of the Polish Academy of Sciences in Warsaw produces gallium nitride substrates as the only technological centre in the world. Nitride structures could be manufactured on such substrates without misfit dislocations, which means that their reliability should be much better than that of nitride devices being produced so far.

Słowa kluczowe

PL

lasery; lasery azotkowe; GaN; azotek galu

EN

lasers; nitride lasers; GaN; gallium nitride

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 1998
• Tom: Vol. 39, nr 3
• Strony: 7--10
• Opis fizyczny: Bibliogr. 19 poz.

Twórcy

autor

Nakwaski W.

• Instytut Fizyki, Politechnika Łódzka