Pierwsze polskie przyrządy półprzewodnikowe : z perspektywy 50 lat

Klamka, J.

Artykuł - szczegóły

Tytuł artykułu

Pierwsze polskie przyrządy półprzewodnikowe : z perspektywy 50 lat

Autorzy

Klamka J.

Identyfikatory

Warianty tytułu

A history of the first semiconductor devices developed in Poland

Języki publikacji

Abstrakty

Przedstawiono historię rozwoju pierwszych polskich przyrządów półprzewodnikowych opracowanych przez autora i jego zespół. Dotyczy to głównie diod prostowniczych, diod Zenera, fotodiod oraz różnych przyrządów mikrofalowych (waraktorów, diod lawinowych, diod PIN, diod Gunna, diod Schottky'ego, tranzystorów i podzespołów), wytwarzanych głównie w Pionie Mikrofal Instytutu Technologii Elektronowej.

In the paper, a history of the first semiconductor devices that were designed in Poland by the author and his co-workers, is described. It includes rectifier diodes, Zener diodes, photodiodes and microwave devices (varactors, avalanche diodes, PIN diodes, Gunn diodes, Schottky diodes, transistors and subsystems) - all developed at the Institute of Electron Technology, mainly in the Microwave Division of that Institute.

Słowa kluczowe

przyrządy półprzewodnikowe przyrządy mikrofalowe diody prostownicze diody Zenera fotodiody waraktory diody Gunna diody lawinowe diody PIN diody Schottky'ego tranzystory podzespoły

semiconductor devices microwave devices rectifier diodes Zener diodes photodiodes varactors Gunn diodes avalanche diodes PIN diodes Schottky diodes transistors

Wydawca

Wydawnictwo SIGMA-NOT

Czasopismo

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

Rocznik

2006

Tom

Vol. 47, nr 6

Strony

40--46

Opis fizyczny

Bibliogr. 69 poz., il.

Twórcy

autor

Klamka J.

Bibliografia

[1] Majewski Z., Brochocki A., Klamka J.: Wpływ oczyszczania strefowego germanu na napięcie wsteczne układu stykowego german-wolfram. Arch. Elektrot., vol. 4, nr 2, ss. 394-396, 1955.
[2] Brochocki A., Klamka J., Majewski Z.: Otrzymywanie złączy warstwowych german-ind o właściwościach prostowniczych. Arch. Elektrot. vol. 4., nr 2, ss. 396-397, 1955.
[3] Klamka J.: Technologia złącz p-n. Elektronika, vol. 3, nr 10-11, ss. 9-19, 1957.
[4] Klamka J.: Germanowe diody mocy. Zeszyty Naukowe Politechniki Warszawskiej, Elektryka nr 15, ss. 57-77, 1957.
[5] Klamka J.: Konstrukcje oraz właściwości elektryczne germanowych diod warstwowych. Elektronika, vol. 4, s. 74-61, 1958.
[6] Klamka J.: Germanowe diody warstwowe. Przegląd Telekomunikacyjny, vol. 3, ss. 79-81, 1958.
[7] Klamka J.: Diody germanowe wielkiej mocy. Arch. Elektrot., vol. 8, nr 2, ss. 351-352, 1959.
[8] Klamka J.: Diody germanowe dużej mocy i ich zastosowanie. Przegl. Elektrot., vol. 36, nr 2, ss. 65-68, 1960.
[9] Klamka J.: Pierwsze diody złączowe w Polsce. Wspomnienia z lat pięćdziesiątych. Prace ITE, z. 8, ss. 3-15, 1992.
[10] Januszewski S.: Prostownik germanowy 75 kW, 250 V dla stacji trakcyjnych dołowych. Przegl. Elektrot. nr 12, s. 515-516, 1961.
[11] Januszewski S., Klamka J.: Pierwsze polskie germanowe diody mocy i ich rola w rozwoju krajowych urządzeń energoelektronicznych. Elektronika, XXXII, nr 2, 1991.
[12] Klamka J.: Krzemowa dioda warstwowa Al-Si. Arch. Elektrot., t. 8, z. 2, ss. 351-352, 1959.
[13] Klamka J.: Diody krzemowe. Przegl. Elektron., vol. 4, nr 4, ss. 408-413, 1960.
[14] Klamka J.: Diody krzemowe dużej mocy. Rozpr. Elektrot. t. XI, z. 4, 1965.
[15] Klamka J.: Diody germanowe i krzemowe. WNT, 1960.
[16] Klamka J.: Fotodiody germanowe. Przegl. Telekom., vol. 6, nr 32, ss. 180-181, 1958.
[17] Klamka J.: Półprzewodnikowe diody o zmiennej pojemności. WNT Warszawa, 1963.
[18] Klamka J.: Diody mikrofalowe półprzewodnikowe. WNT Warszawa, 1973.
[19] Klamka J.: Technology of Geramium p-n Alloyed Junction for Microwave Variable - Capacitance Diodes. Bull. Acad. Pol. Sci., ser. Techn. vol. 8, no 7, pp. 385-390, 1960.
[20] Klamka J.: Technology of Geramanium Microalloyed Variable Capicitance Diodes for Parametric Amplifiers. Colloque International sur les Disppositifs a Semiconducteurs, Partes 1, pp. 564-569, 1961.
[21] Klamka J.: Germanium Varactor Diode With High cut-off Frequency. Bull. Acad. Pol. Sci, ser. Techn. vol. 10, no 11, pp. 685-687, 1962.
[22] Klamka J.: Krzemowe waraktory mikrofalowe. Przegl. Elektron., vol. 5, nr 12, ss. 625-631, 1964.
[23] Klamka J.: Waraktory krzemowe i ich właściwości elektryczne. Pomiary Automatyka Kontrola, vol. 12, nr 11, ss. 470- 482, 1966.
[24] Klamka J.: Zagadnienia oporności szeregowej waraktorów mikrofalowych. Arch. Elektrot., vol. 16, nr 1, ss. 69-98, 1967.
[25] Klamka J.: Krzemowe epitaksjalne waraktory mocy z dyfuzyjnymi złączami p-n. Przegl. Elektron., vol. 8, nr 11, s. 520-525, 1967.
[26] Klamka J.: 40 lat mikrofalowej elektroniki półprzewodnikowej w Polsce. Elektronika, z. 8-9, s. 11-21, 2000.
[27] Klamka J.: Sposób wytwarzania przyrządów półprzewodnikowych w szczególności mikrofalowych. Pat. PRL 51990, 1964.
[28] Klamka J.: Sposób wytwarzania przyrządów półprzewodnikowych, zwłaszcza waraktorów mikrofalowych. Pat. PRL 51993, 1965.
[29] Klamka J.: GaAs Diffused-Junction Varactor Diodes. Bull. Acad. Pol. Sci., ser. Techn., vol. 15, nr 12, ss. 223-225, 1967.
[30] Klamka J.: Krzemowa dioda lawinowa na pasmo X. Arch. Elektrot., vol. 19, nr 1, ss. 173-174, 1970.
[31] Klamka J.: Zagadnienie zwiększenia mocy diod lawinowych. Mikrofalowa Elektronika Ciała Stałego, PWN, vol. 4, ss. 48-52, 1971.
[32] Klamka J.: Zagadnienie technologii krzemowych diod lawinowych. Nowoczesne Materiały i Przyrządy Półprzewodnikowe. PWN, Warszawa ss. 517-521, 1972.
[33] Klamka J.: Krzemowe diody lawinowe o podwyższonej mocy do generacji w paśmie X. III Krajowa Konferencja MECS Zakopane 1974, Mikrofalowa Elektronika Ciepła Stałego. PWN Warszawa 1975.
[34] Klamka J., Parafinowicz J.: Avalanche Diode Oscillators for X-Band. Elektron Technology, vol. 5, nr 2, ss. 111-115, 1972
[35] Klamka J., Latkowski R.: Diody Gunna o mocy ciągłej w paśmie X. III Krajowa Konferencja MECS Zakopane, 1974. Mikrofalowa Elektronika Ciepła Stałego. PWN, Warszawa 1975.
[36] Klamka J., Niedźwiedź A., Latkowski R.: Diody Gunna dużej mocy na pasmo X. Arch. Elektrotechniki z. 4, ss. 805-808, 1976.
[37] Klamka J., Parafinowicz J., Suchecka M., Korybut-Daszkiewicz B.: Diody Gunna dużej mocy i ich właściwości elektryczne. Prace ITE, z. 11-12, 1990.
[38] Parafinowicz J., Klamka J., Regiński K., Górska M., Wrzesińska H., Uszyński A.: Gunn diodes for 26-40 GHz. Proc. Intern. Conf. On Microwave and Radar. MIKON'98, vol. 1, p. 89, 1998.
[39] Klamka J., Parafinowicz J., Uszyński A.: Gunn Diode Generator for frequency band 26-40 GHz. Intern. Conf. On Microwave and Radar. MIKON'2000.
[40] Klamka J.: Mikrofalowe diody PIN. Arch. Elektron., vol. XXI, ss. 923-926, 1972.
[41] Klamka J., Parafinowicz J., Niedźwiedź A.: Mikrofalowe diody PIN i ich parametry elektryczne. Prace ITE, z. 19, 1973.
[42] Klamka J., Kowalski L., Ziółkowski M.: Mikrofalowe diody PIN małej mocy. Prace ITE, z. 4, ss. 15-30, 1982. Elektronika z. 4, ss. 10-13, 1883.
[43] Klamka J.: Diody PIN dużej mocy. Prace ITE, z. 4, ss. 31-38, 1982.
[44] Jabłoński W., Suchecka M.: Dioda PIN na pasmo X. Prace ITE, z. 11, 1988.
[45] Grabowski M.: Silicon Microwave PIN diode for phase shifters, Prace ITE, z. 6-12, 1996.
[46] Parafinowicz J., Suchecka M.: Układ do pomiaru charakterystyk dynamicznych diod ograniczających. Prace ITE, z. 4, 1987.
[47] Klamka J., Niedźwiedź A., Parafinowicz J.: Układy tłumików i modulatorów z diodami PIN wytwarzanymi w ITE. III Krajowa Konferencja MECS. Zakopane 1974.
[48] Szczęsny J.: Wieloimpulsowa metoda pomiaru czasu życia nośników w diodach PIN. Prace ITE, z. 10, 1985.
[49] Ziółkowski M.: Dioda ładunkowa BXDP 83. Prace ITE, z. 4, 1987.
[50] Ziółkowski M.: Dioda ładunkowa BXDP 84 i jej zastosowanie. Prace ITE, z. 10, 1985.
[51] Klamka J.: Mikrofalowe diody Schotky'ego PtSi-Si. Prace ITE, z. 4, ss. 1-11, 1983. Elektronika nr 2, 1984.
[52] Klamka J., Suchecka M.: Zrównoważony mieszacz na pasmo X z arsenkowo-galowymi diodami Schotky'ego. Prace ITE, z. 9, s. 1-17, 1984. Elektronika z. 11, ss. 22-26, 1984.
[53] Klamka J.: Mikrofalowe przyrządy półprzewodnikowe wytwarzane w kraju. Prace ITE, z. 7, s. 3-42, 1979. Elektronika z. 1-2, ss. 44-54, 1980.
[54] Białkowski W. J., Bienia K., Klamka J., Lewandowski J.: Mikrofalowe tranzystory bipolarne p-n-p. Prace ITE, z. 8, ss. 15-28, 1981. Elektronika nr 10, ss. 22-27, 1981.
[55] Białkowski W. J., Klamka J., Zaleski T.: Mikrofalowy tranzystor bipolarny na pasmo L o małym poziomie szumów. VI Krajowa Konferencja Mikrofalowa MIKON'93, Tom I, Wyd. WAT, ss. 352-355, 1983.
[56] Klamka J., Zaleski T., Żebrowski Z.: Bipolarny mikrofalowy tranzystor dla hybrydowych układów pracujących w paśmie 1 GHz. Prace ITE, z. 4, s. 7-13, 1987. Elektronika nr 2, ss. 22-23, 1988.
[57] Klamka J., Kunicki J., Saczuk K., Tkaczyk Z.: Optimization of material parameters and Design of o HEMH. Prace ITE, z. 6-12, pp. 170-177, 1996.
[58] Klamka J.: Heterozłączowe przyrządy półprzewodnikowe na zakres mikrofal i fal milimetrowych. Agencja Lotnicza ALTAIR Sp. z o.o., Warszawa 2002.
[59] Tkaczyk Z., Kunicki J., Saczuk K., Żebrowski Z.: Modelling and Design of HEMT's Using Computer Simulation. Prace ITE, z. 2-8, 1997.
[60] Górska M., Wrasińska H.: Experiments in the HEMH's Technology. Prace ITE, z. 2-8, 1997.
[61] Jabłoński W., Grabowski M.: Application of glass layers in development and technology of modern microwave devices. Prace ITE, z. 5-12, 1995.
[62] Saczuk K., Bienia K.: Reactive ion etching of refractory metals. Prace ITE, z. 2-12, 1995.
[63] Parafinowicz J.: Cirenits and measurement heads for testing Gunn diodes in the 26-40 GHz. Prace ITE, z. 2-8, 1997.
[64] Szczęsny J., Rutkowski R., Grabowski M., Żebrowski Z.: SPDT reflective switch module without internal bias circuitry for the 0,5-2 GHz band. Prace ITE, z. 2-8, 1997.
[65] Klamka J. i in.: Zakład Elektroniki Mikrofalowej. Sprawozdanie z działalności Instytutu Technologii Elektronowej w 1999 r. ITE, marzec 2000.
[66] Jabłoński W., Grabowski M.: Glass technology for phase shifters. Prace ITE, z. 6-12, 1996.
[67] Klamka J., Redlich J.: Nowa Technika wytwarzania niskonapięciowych diod Zenera. Prace ITE, z. 1, 1971. Elektronika z. 5, 1979.
[68] Klamka J., Redlich J.: Sposób wytwarzania całoszklanych epitaksjalnych diod Zenera. Pat. PRL 106265, 1978.
[69] Klamka J., Bienia K., Saczuk K.: Stan i perspektywy rozwoju mikroelektroniki próżniowej. Elektronika z. 7-8, ss. 7-17, 1999.

Typ dokumentu

Bibliografia

Identyfikator YADDA

bwmeta1.element.baztech-article-BWA0-0007-0009