Czterdzieści lat Instytutu Technologii Elektronowej w Warszawie

• Autorzy: Świderski J.

Warianty tytułu

EN

40 years of Institute of Electron Technology in Warsaw

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Zapoznając się z historią Instytutu Technologii Elektronowej, zawierającą zarówno osiągnięcia poznawcze, jak i przełomowe momenty pierwszych wdrożeń do produkcji doświadczalnej, a następnie wielkoprzemysłowej i porównując poszczególne etapy jej rozwoju z dniem dzisiejszym, w którym na pierwszym planie znajdują się problemy układów scalonych oraz złożonych przyrządów optoelektronicznych, łatwo wyciągnąć następujący wniosek będący podsumowaniem przedstawionej tu „instytutowej wizytówki": ITE potrafił znaleźć własną drogę dościgania poziomu technicznego krajów najbardziej przodujących bez długotrwałego powtarzania etapów, które te kraje przeszły w czasie swego rozwoju.

EN

By learning the history of Institute of Electron Technology containing the cognitive achievements as well as crucial moments of first implementation into laboratory and next the high-volume production, and by comparing particular stages of development with present day when the foreground is composed integrated circuits and complex optoelectronic devices problems, it is easy to draw the following conclusion, which is a summing up of the Institute "identification card" presented here: IET managed to find its own way of catching up with the level of most advanced countries without lengthy repeating of stages that made the developmental history of those nations.

Słowa kluczowe

PL

elektronika; mikroelektronika; optoelektronika; półprzewodniki; Instytut Technologii Elektronowej; jubileusz 40-lecia; 40-lecie

EN

electronics; microelectronics; optoelectronics; semiconductors; Institute of Electron Technology

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2006
• Tom: Vol. 47, nr 6
• Strony: 38--39
• Opis fizyczny: Bibliogr. 17 poz.

Twórcy

autor

Świderski J.

Bibliografia

• [1] Groszkowski J.: Konstrukcja tranzystora punktowego. Patent PRL nr 37802.
• [2] Brochocki A., Klamka J., Majewski Z.: Otrzymywanie złącz warstwowych german-ind o właściwościach prostowniczych. Arch. Elektrot. t. 4, z. 2 (1955), s. 396.
• [3] Schmidt B., Mikke K., Sołtys Z.: O pewnych właściwościach elektrycznych spieków tlenków manganu, niklu i miedzi. Arch. Elektrot. t. 4, z. 4 (1955), s. 621.
• [4] Rosiński W., Pułtorak J.: Point-junction transistor. Bull. Pol. Acad. Sci. Vol. 5, nr 2 (1957), s. 95.
• [5] Ambroziak A.: A semiconductor pulse counter. Bull. Acad. Pol. Ser. Tech. 9 no 3 (1961), p. 179.
• [6] The transistor: Two decades of progress. Special Report Electronics. III, Feb. (1968), p. 118.
• [7] Świderski J.: Instytut Technologii Elektronowej - 20 lat w służbie polskiej elektroniki. Nauka Polska, nr 4 (1975), s. 55.
• [8] Ambroziak C. A.: Rozwój elektroniki półprzewodników w okresie ostatnich 20 lat. Elektronika, nr 1-2 (1980), s. 16.
• [9] Kobus A., Kassur A.: Mikroelektronika MOS. Prace ITE, z. 5 (1986), s. 9.
• [10] Piotrowski A., Mroziewicz B.: Optoelektronika w ITE. Ibid, s. 31.
• [11] Klamka J.: Diody, tranzystory i podzespoły mikrofalowe, Ibid, s. 79.
• [12] Kuźma C.: Termistory, Ibid, s. 109.
• [13] Świderski J., Swoboda J.: Procesy recesyjne w polskiej elektronice półprzewodnikowej w 1992 r. Elektronika, nr 12 (1993), s. 3.
• [14] Swoboda J., Świderski J.: Analiza sytuacji w polskiej elektronice półprzewodnikowej. Elektronizacja, nr 6 (1996), s. 2.
• [15] Ambroziak C.: Instytut Technologii Elektronowej. Przegląd Techniczny, nr 19 (1999), s. 14.
• [16] Świderski J.: Pięćdziesiąt lat elektroniki półprzewodnikowej w Polsce - od Zakładu Elektroniki PAN do Instytutu Technologii Elektronowej w Warszawie. Elektronika, nr 11 (2003), s. IV.
• [17] Świderski J.: Sytuacja polskiej elektroniki - nauka, edukacja, produkcja w pięćdziesiąt lat po utworzeniu Zakładu Elektroniki PAN. Elektronika, nr 1 (2004), s. 3.