PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Tytuł artykułu

Thermally induced changes of broad contact pulse-operated single quantum well (SQW) separate confinement heterostructure (SCH) laser spectra

Wybrane pełne teksty z tego czasopisma
Identyfikatory
Warianty tytułu
Konferencja
Surface Physics and Thin-Films Structure Seminar ; 17-21.05.2005 ; Szklarska Poręba, Poland
Języki publikacji
EN
Abstrakty
EN
A technique of time-resolved laser spectra mapping has been developed to assess thermo-optical properties of diode lasers. Using this technique the emission spectra of broad contact pulse operated diode lasers were measured for consecutive time points within the pulse duration width. The emitted wavelength was found to be highly dependent on the time elapsing from the pulse front and a time shift of wavelength was clearly observed in the spectrum of pulse-operated lasers.
Słowa kluczowe
Czasopismo
Rocznik
Strony
573--578
Opis fizyczny
Bibliogr. 5 poz., il., wykr.
Twórcy
autor
  • Institute of Electron Technology, al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa, Poland
autor
  • Institute of Electron Technology, al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa, Poland
autor
  • Institute of Electron Technology, al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa, Poland
  • Institute of Electron Technology, al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa, Poland
Bibliografia
  • [1] Laff R.A., Comerford L.D., Crow J.D., Brady M.J., Thermal performance and limitations of silicon-substrate packaged GaAs laser arrays, Applied Optics 17(5), 1978, pp. 778-84.
  • [2] Dyment J.C., Cheng Y.C., SpringThorpe A.J., Temperature dependence of spontaneous peak wavelength in GaAs and Ga]_xAlxAs electroluminescent layers, Journal of Applied Physics 46(4), 1975, pp. 1739-43.
  • [3] Mansanares A.m., Roger J.P., Fournier D., Boccara A.C., Temperature field determination of InGaAsP/lnP lasers by photothermal microscopy: evidence for weak nonradiative processes at the f^acets, Applied Physics Letters 64(1), 1994, pp. 4-6.
  • [4] PICS 3D Instruction Manual, Crosslight Software Inc., CA 1998.
  • [5] Menzel U., Barwolff A., Enders P., Ackermann D., Puchert R., Voss M., Modelling the temperature dependence of threshold current, external differential efficiency and lasing wavelength in QWlaser diodes, Semiconductor Science and Technology 10(10), 1995, pp. 1382-92.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BWA0-0006-0063
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.