System pomiarowy do wyznaczania charakterystyk prądowo-napięciowych nanodrutów

• Autorzy: Wawrzyniak M.

Warianty tytułu

EN

A measurement system for calculation the I-V curves of nanowires

• Konferencja: Metrologia Kwantowa ; 09-10.05.2006 ; Poznań, Polska
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Przedstawiono system pomiarowy do pomiaru przewodności elektrycznej nanodrutów metalowych podczas ich rozciągania. Nanodruty formowane są pomiędzy powierzchnią próbki metalu i wierzchołkiem metalowej igły. Prezentowany system umożliwia pomiar i wyznaczanie charakterystyk prądowo-napięciowych nanodrutów dla zadanej wartości przewodności nanodrutu. Podano wyniki pomiarów i obliczeń potwierdzające poprawność działania systemu pomiarowego.

EN

This paper presents an experimental setup for measuring the electrical conductance through nanowires during elongation. Nanowires are formed between a metal sample and the tip. We demonstrate how the setup can be used to capture the I-V curves of nanowires. Moreover, it is presented examples of I-V curves which confirm the validity of the proposed method and that the measurement system works well.

Słowa kluczowe

PL

nanotechnologia; nanodruty; kwantowanie przewodności elektrycznej; pomiary przewodności elektrycznej; charakterystyka prądowo-napięciowa

EN

nanotechnology; nanowires; conductance quantization; electrical conductance measurements; I-V curves

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2006
• Tom: Vol. 47, nr 5
• Strony: 39--41
• Opis fizyczny: Bibliogr. 18 poz., wykr.

Twórcy

autor

Wawrzyniak M.

• Politechnika Poznańska, Instytut Elektroniki i Telekomunikacji

Bibliografia

• [1] Duan X. et al.: Inidium phosphide nanowires as building blocks for nanoscale electronic and optoelectronic devices. Nature, vol. 409, 2001, ss. 66-69.
• [2] Cui Y., Leiber C. M.: Functional nanoscale electronic devices assembled using silicon nanowire bulding blocks. Science, vol. 291, 2001, pp. 851-853.
• [3] Kim J. R. et al.: Rectifying diode made on individual GaN nanowire. Physica E, vol. 18, 2003, pp. 225-226.
• [4] Tans S. J. et al.: Room-temperature transistor based on a single carbon nanotube. Nature, vol. 393, 1998, pp. 49-52.
• [5] Martel R. et al.: Single and multi-wall carbon nanotube field-effect transistors. Appl. Phys. Lett., vol. 73, 1998, pp. 2447-2449.
• [6] Bachtold A. et al.: Logic circuits witch carbon nanotube transistors. Science, vol. 294, 2001, pp. 1317-1320.
• [7] Huang Y. et al.: Logic gates and computation from assembled nanowire bulding blocks. Science, vol. 294, 2001, pp. 1313-1317.
• [8] Gimzewski J. K., Moller R.: Transition from the tunneling regime to point contact studied using scanning tunneling microscopy. Phys. Rev. B, vol. 36, 1987, pp. 1284-1287.
• [9] Pascual J. I. et al.: Quantum Contact in Gold Nanostructures by Scanning Tunneling Microscopy. Phys. Rev. Lett. vol. 71, 1993, pp. 1852-1855.
• [10] Agrat N., Rodrigo J. G., Vieira S.: Conductance steps and quantization in atomic-size contacts. Phys. Rev. B, vol 47, 1993, pp. 12345-12348.
• [11] Costa-Kramer J. L. et al.: Nanowire formation in macroscopic metallic contacts: quantum mechanical conductance tapping a table top. Surface Science, vol. 342, 1995, pp. L1144-L1149.
• [12] Hansen K. et al.: Quantized conductance in relays. Phys. Rev. B, vol. 56, 1997, pp. 2208-2220.
• [13] Rodrigues V., Ugarte D.: Real-time imaging of atomic process in one-atom-tick metal junctions. Phys. Rev. B, vol. 63, 2001, pp. 73405-73408.
• [14] Correia A., Garcia N.: Nanocontact and nanowire formation between macroscopic metallic contacts observed by scanning and transmission electron microscopy. Phys. Rev. B, vol. 55, 1997, pp. 6689-6692.
• [15] Martinek J., Nawrocki W., Wawrzyniak M., Stankowski J.: Quantized conductance of the nanowires spontaneously formed between macroscopic metallic contacts. Molecular Physics Reports, vol. 20, 1997, pp. 157-163.
• [16] Hansen K. et al.: Fast and accurate current-voltage curves of metallic quantum point contacts. Review of Scientific Instruments, vol. 71, 2000, p. 1793-1803.
• [17] Hansen K. et al.: Current-voltage curves of gold quantum point contacts revisited, Applied Physics Letters, vol. 77, 2000, pp. 708-710.
• [18] Mehres H. et al.: I-V characteristics and differential conductance fluctuations of Au nanowires. Phys. Rev. B, vol. 65, 2002, pp. 195419-195432.