Detektory ultrafioletu z azotku galu

• Autorzy: Dobrzański L. , Góra K. , Jagoda A. , Przyborowska K. , Kozłowski A. , Stańczyk B. , Strupiński W. , Lenkiewicz D. , Wnuk M.

Warianty tytułu

EN

Ultraviolet detectors on gallium nitride

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W wyniku realizacji programu wieloletniego „Rozwój Niebieskiej Optoelektroniki" opracowano szereg detektorów z barierą Schottky'ego oraz typu p-i-n w oparciu o heterostrukturę GaN/AIGaN. Widmowe charakterystyki czułości opracowanych przyrządów pokrywają odcinkami cały zakres ultrafioletu. W wypadku detektorów z barierą Schottky'ego osiągnięto parametry porównywalne do najlepszych dostępnych na rynku światowym, natomiast diody p-i-n o unikalnych parametrach nie mają równorzędnych odpowiedników.

EN

We have completed the R & D program "Development of the Blue Optoelectronics". We have developed a series of the Schottky and p-i-n detectors on a basis of the GaN/AIGaN heterostructure. The characteristics of spectral detectivity of our devices cover the whole UV range. The Schottky barrier detectors exhibit the best parameters met on a world market. Properties of the p-i-n devices are unique. Devices of the similar quality are not available so far from the other sources.

Słowa kluczowe

PL

detektory ultrafioletu; detektory z barierą Schottky'ego; detektory typu P-I-N; GaN; AlGaN

EN

Schottky barrier; UV photodetector; p-i-n UV photodetector; GaN; AIGaN

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2006
• Tom: Vol. 47, nr 3
• Strony: 8--11
• Opis fizyczny: wykr.

Twórcy

autor

Dobrzański L.

autor

Góra K.

autor

Jagoda A.

autor

Przyborowska K.

autor

Kozłowski A.

autor

Stańczyk B.

autor

Strupiński W.

autor

Lenkiewicz D.

autor

Wnuk M.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Warszawa