Niebieskie i fioletowe półprzewodnikowe diody laserowe wielkiej mocy

• Autorzy: Perlin P.

Warianty tytułu

EN

High-power, blue-violet laser diodes

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Laserowe diody półprzewodnikowe z azotku galu są pożądanymi przyrządami w wielu aplikacjach wymagających wielkiej energii fotonu lub/i krótkiej fali emitowanego światła. Lasery takie mogą być stosowane w optycznym zapisie informacji, wyświetlaczach optycznych, technikach drukarskich i litograficznych, w medycynie itd. W opracowaniu przedstawiono wyniki osiągnięte przez zastosowanie wysokiej jakości kryształów azotku galu (otrzymanych na drodze wysokociśnieniowej syntezy) do otrzymywania struktur laserowych diod półprzewodnikowych. Lasery te wykonywane w geometrii szerokopaskowej otwierają możliwości generacji bardzo wysokich mocy optycznych, niezbędnych np. w przyszłej telewizji laserowej.

EN

We discuss the present situation of the blue-violet laser diode technology. We demonstrate that the use of low dislocation density gallium nitride substrates facilitate the fabrication of wide area high-power laser diodes of the optical output power reaching 200 mW. These devices may find applications in spectroscopy, chemical processing, photolithography, medicine and display technology.

Słowa kluczowe

PL

GaN; diody laserowe; wysoka moc

EN

GaN; laser diodes; high power

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2006
• Tom: Vol. 47, nr 3
• Strony: 5--8
• Opis fizyczny: Bibliogr. 10 poz., wykr.

Twórcy

autor

Perlin P.

• Polska Akademia Nauk, Instytut Wysokich Ciśnień, Warszawa

Bibliografia

• [1] www.blue-raydisc.com
• [2] Stacewicz T., Czyżewski A., Bielecki Z., Mikotajczyk J., Wojlas J.: Detection of NO2 using cavity enhanced methods. Optica Applicata (przesłane do druku).
• [3] www.dlp.com
• [4] Takeya M., Hashizu T., Ikeda M.: Degradation of GaN-based high power lasers and recent advancement. In "Novel in plane semiconductor laser" edited by C. Mermelstein, D. P. Bour, Proceedings of SPIE 5738, p. 63, 2005.
• [5] Ustumi W. et al. Nature Materials 2, 735, 2003.
• [6] Gibart P.: Rep. Prog. Phys. 67, 667, 2004.
• [7] Grzegory I., Phys J.: Condensed Matter 13, 6875, 2002.
• [8] Perlin P. et al.: Properties of violet laser diodes grown on bulk GaN substrates. In "Novel in plane Semiconductor laser" edited by C. Mermelstein, D. P. Bour, Proceedings of SPIE 5738, p. 72, 2005.
• [9] Skierbiszewski C. et al.: Applied Physics Letters. "Blue-violet InGaN laser diodes grown on bulk GaN substrates by plasma-assisted molecular-beam epitaxy", 86, 011114, 2005.
• [10] Skierbiszewski C.: Applied Physics Letters submitted.