Metalizacja połączeń międzywarstwowych metodą rozpylania magnetronowego

• Autorzy: Borecki J.

Warianty tytułu

EN

Metallization of interconnections by magnetron sputtering deposition

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Rozwój przemysłu elektronicznego silnie zależy nie tylko od miniaturyzacji podzespołów elektronicznych, ale również od miniaturyzacji płytek obwodów drukowanych. Przedstawiono propozycję wykonywania metalizacji połączeń międzywarstwowych metodą rozpylania magnetronowego miedzi. Technika ta pozwala metalizować połączenia międzywarstwowe dzięki otworom o dużym współczynniku kształtu, których stosunek głębokości do średnicy wynosi nawet 5:1. Próby doświadczalne pokazują, że opisywana technologia stanowi duży sukces w dziedzinie technik metalizacji połączeń międzywarstwowych i zapowiada się bardzo obiecująco pod kątem wytwarzania płytek drukowanych o dużej skali upakowania połączeń.

EN

The development of electronic industry strongly depends on scale of electronic components miniaturization but also depends on miniaturization of printed circuit boards (PCBs). In the paper the idea of interconnections metallization by using of magnetron sputtering deposition of copper is presented. Such process permits to metallize of interconnections based on microvias with high aspect ratio (deep/diameter) even about 5:1. The realized investigations show that the mentioned technology is the big success in domain of techniques of interconnections metallization and it is very promising for High Tech PCBs manufacturing.

Słowa kluczowe

PL

połączenia międzywarstwowe; rozpylanie magnetronowe; mikrootwór; metalizacja

EN

interconnection; magnetron sputtering; microvia; metallization

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2005
• Tom: Vol. 46, nr 12
• Strony: 39--42
• Opis fizyczny: Bibliogr. 5 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Borecki J.

• Instytut Tele- i Radiotechniczny, Warszawa

Bibliografia

• 1. Borecki J.: Interconnection for High Density PCB - Ways of Design Optimization. Proceedings of XXVI International Conference of IMAPS Poland Chapter, Warsaw, 25-27 September 2002, pp. 113-117.
• 2. Radzimski Z., Posadowski W. M., Rossnagel S. M., Shingubara S.: Directional copper deposition using dc magnetron self-sputtering. Jurnal Vacuum Science Technology B 16 (3), May/Jun 1998 (American Vacuum Society), pp. 1102-1106.
• 3. Posadowski W. M.: Plasma Parameters of Very High Target Power Density Magnetron Sputtering. Thin Solid Films 392 (2001), pp. 201-207.
• 4. Posadowski W. M., Brudnik A.: Optical emission spectroscopy of self-sustained magnetron sputtering. Vacuum 53, 1999, pp. 11-15.
• 5. Borecki J., Felba J., Posadowski W. M., Wojtalik K.: Magnetron Sputtering Technology for Microvias Metallization. Proceedings of XXVIII International Conference of IMAPS Poland Chapter, Wroclaw, 26-29 September 2004, pp. 171-174.