Porównanie elektrycznych i pirometrycznych metod pomiaru parametrów termicznych elementów półprzewodnikowych

• Autorzy: Górecki K. , Zarębski J.

Warianty tytułu

EN

The comparison of electrical and infrared methods of measurements of the thermal parameters of semiconductor devices

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Porównano elektryczne i pirometryczne metody pomiaru parametrów termicznych elementów półprzewodnikowych o różnych wielkościach struktur półprzewodnikowych, przy różnych warunkach ich chłodzenia i zasilania. Pokazano, że usunięcie części obudowy elementu oraz poczernienie jego struktury, wymagane przy stosowaniu metod pirometrycznych, w istotny sposób zmieniają wartości parametrów termicznych. Dla badanych elementów pracujących bez radiatorów wyniki pomiarów uzyskane za pomocą metod elektrycznych i pirometrycznych pozostają w dobrej zgodności.

EN

In the paper the electrical and infrared methods of measurements of the thermal parameters of semiconductor devices of the different chip area and different cooling conditions are compared. As was result from inve­stigations, uncapsulating of the considered devices along with its chip blacking influence considerably the thermal parameters of the device. It was also reveals that the both measurement methods give nearly the same results only for devices operating without the heat-sink, other­wise the differences of electrical and infrared methods can reach even several dozen percentage.

Słowa kluczowe

PL

parametry termiczne; pomiary; przyrządy półprzewodnikowe

EN

thermal parameter; measurements; semiconductor devices

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2005
• Tom: Vol. 46, nr 11
• Strony: 55--57
• Opis fizyczny: Bibliogr. 10 poz., wykr.

Twórcy

autor

Górecki K.

• Akademia Morska w Gdyni, Katedra Radioelektroniki Morskiej

autor

Zarębski J.

• Akademia Morska w Gdyni, Katedra Radioelektroniki Morskiej

Bibliografia

• [1] Rubin S., Oettinger F.: Thermal Resistance Measurement on Power Transistors. National Bureau of Standards, NBS 400-14, U.S. Dept. of Commerce, 1979.
• [2] Nowakowski A.: Badanie procesów termicznych w przyrządach półprzewodnikowych. Zesz. Nauk. Polit. Gdańskiej, Elektronika LX, nr 389, 1984.
• [3] Górecki K., Zarębski J.: System mikrokomputerowy do pomiaru parametrów termicznych elementów półprzewodnikowych i układów scalonych. Metrologia i Systemy Pomiarowe, Nr 4, 2001, s. 379.
• [4] Szekely V., Rencz M., Courtois B.: Thermal investigations of IC’s and microstructures, Microelectronics Journal, Vol. 28, No 3, 1997, pp. 205-207.
• [5] Instrukcja obsługi pirometru przenośnego PT - 3S, Optex Co., Ltd., 1997.
• [6] Górecki K., Zarębski J.: Pomiary rezystancji termicznej tranzystorów mocy z wykorzystaniem metod pirometrycznych. Pomiary, Automatyka, Kontrola PAK, Nr 1, 2003, s. 41.
• [7] Górecki K., Zarębski J., Piotrowicz M.: Pomiary parametrów termicznych bipolarnego tranzystora małej mocy. Mikroelektronika i Informatyka, Nr 3, 2003, s. 55.
• [8] Rzeczkowski M., Brudnowski M., Paliwoda R.: Optoelektronika profilem działalności polskiej firmy high-tech. Elektronika, Nr 5, 2005, s. 18.
• [9] Górecki K., Zarębski J., Piotrowicz M.: Pomiary parametrów termicznych monolitycznego stabilizatora napięcia MAA723. Zeszyty Naukowe Akademii Morskiej w Gdyni, Nr 53, 2004, s. 121.
• [10] Górecki K., Zarębski J.: Pomiary rozkładu temperatury na powierzchni struktury tranzystorów Darlingtona mocy. Elektronizacja, Sigma-NOT, Warszawa, nr 12, 2000, s. 13.