Procesy wysokotemperaturowe w węgliku krzemu

• Autorzy: Kalinowski A. , Kubiak A. , Kubiak J. , Polański K.

Warianty tytułu

EN

High temperature processes in silicon carbide

• Konferencja: Krajowa Konferencja Elektroniki (4 ; 12-15.06.2005 ; Darłówko Wschodnie, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Omówiono wykorzystanie węglika krzemu w nowoczesnej mikroelektronice. Właściwości tego materiału pozwalają na stosowanie go do wytwarzania nowoczesnych przyrządów półprzewodnikowych mocy. które ze względu na szeroką przerwę energetyczną SiC mogą pracować w wysokich temperaturach. Wysokie krytyczne natężenie pola przebicia po­zwala na wykonywanie złączy wysokonapięciowych o napięciach przebicia przekraczających 10 kV. Prace prowadzone w Zakładzie Przyrządów Półprzewodnikowych nad węglikiem krzemu mają na celu opracowanie technologii wytwarzania złączy metodą dyfuzji termicznej.

EN

The primary goal of the paper is to present advantages of silicon carbide as a new material in modern microelectronics. Due to its unique physical parameters silicon carbide is suitable to produce semiconductor power devices working in high temperatures because of wide bandgap. The high permissible electrical field allows making high breakdown voltage junctions up to 10 kV. The investigations run in Semiconductor Devices Division concern thermal diffusion technology in silicon carbide.

Słowa kluczowe

PL

węglik krzemu; procesy wysokotemperaturowe; przyrządy półprzewodnikowe mocy

EN

silicon carbide; high temperature annealing; semiconductor power devices

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2005
• Tom: Vol. 46, nr 11
• Strony: 38--40
• Opis fizyczny: Bibliogr. 8 poz., wykr.

Twórcy

autor

Kalinowski A.

• Politechnika Łódzka, Wydział Elektrotechniki i Elektroniki

autor

Kubiak A.

• Politechnika Łódzka, Wydział Elektrotechniki i Elektroniki

autor

Kubiak J.

• Politechnika Łódzka, Wydział Elektrotechniki i Elektroniki

autor

Polański K.

• Uniwersytet Łódzki, Katedra fizyki Ciała Stełego

Bibliografia

• [1] J. Palmur, R. Singh, R. Glass, O. Kordina, C. Carter: Silicon Carbide for power devices. ISPSD’97, Weimar 25-32 (1997).
• [2] R. Yakimova, M. Syvajarvi, T. lakimov, H. Jacobsson, A. Kakanakova--Georgieva, P. Raback, et. al.: Growth of silicon carbide: process--related defects. Applied Surface Science 184, 27-36 (2001).
• [3] A. Fissel: Thermodynamic considerations of the epitaxial growth of SiC polytypes. Journal of Crystal Growth 212, 438-450 (2000).
• [4] M. Badila, B. Tudor, G. Brezeanu, M. Locatelli, J. Chante, J. Millan, P. Godignon: Current-voltage characteristics of large area 6H-SiC pin diodes. Materials Science and Engineering (61-62), 433-436 (1999).
• [5] С. I. Harris, S. Savage, A. Konstantinov, M. Bakowski, P. Ericsson: Progress towards SiC products. Applied Surface Science 184,393-398 (2001).
• [6] A. Agarwal, S. Seshadri, M. MacMillan, S. Mani, J. Casady, P. Sanger, P. Shah: 4H-SiC p-n diodes and gate turnoff thyristors for high power, high-temperature applications. Solid-State Electronics 44, 303-308 (2000).
• [7] T. Troffer, M. Schadt, T. Frank, H. Itoh, G. Pensl, J. Heindl, H. Strunk, M. Maier: Doping of SiC by implantation of Boron and Aluminum. A Review of Fundamental Questions and Applications to Current Device Technology vol. 2, 277-297, Akademie Verlag, Berlin 1997.
• [8] S. Soloviev, Y. Gao, T.S. Sudarshan: Planar 4H- and 6H-SiC p-n diodes fabricated by selective diffusion of boron. Solid State Electronics 45, 1987-1990(2001).