Metody mikroskopii bliskiego pola od mikro- do nanoelektroniki: diagnostyka, wytwarzanie

• Autorzy: Gotszalk T. , Sikora A. , Kolanek K. , Szeloch R. , Szmidt J. , Grabiec P. , Rangelow I. W. , Mitura S.

Warianty tytułu

EN

Scanning probe microscopy methods in micro- and nanoelectronics: diagnostics and fabrication

• Konferencja: .Krajowa Konferencja Elektroniki (4 ; 12-15.06.2005 ; Darłówko Wschodnie, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Obserwowane obecnie tendencje w rozwoju systemów elektronicznych i tzw. mikrosystemów, które łączą w sobie zarówno funkcje przetwarzania sygnałów elektronicznych, jak i oddziaływań mechanicznych, chemicznych, itp. wyrażają się w znacznym zmniejszeniu tzw. wymiaru charakterystycznego do setek i dziesiątek nanometrów. W opracowaniu przedstawiono przegląd metod bliskiego pola zarówno w zastosowaniach diagnostycznych jak i technologicznych, które pozwalają zaspokoić skrajnie trudne warunki powstałe na drodze do nanoelektroniki, a ogólnie do nanotechnologii. Badania i wytwarzanie tego typu układów wymagają nowatorskiego podejścia, które musi uwzględniać prawa fizyki kwantowej.

EN

In last decades rapid progress in fabrication of integrated circuits and microsystems has been observed. Simultaneously novel problems connectec with measurements of such devices and microelectronical materials were defined. In our work we will describe the application of scanning probe microscopy based methods in measurements of physical properties of microelectronical devices and materials. We will present methdos and techniques, which were developed at the Faculty of Microsystem Electronic; and Photonics of Wroclaw University of Technology. In this experiments we used novel nearfield sensors and measurement electronics to describe quantitavely the surface properties. We will present preliminary results on fabrication of nanostructures, which can be applied as quantum electronical devices like: quantum points and single electron transistors.

Słowa kluczowe

PL

mikroskopia sił atomowych; lokalna anodyzacja powierzchni; nanolitografia; tranzystor jednoelektronowy

EN

atomic force microscopy (AFM); local anodization; nanolithography; single electron transistor

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2005
• Tom: Vol. 46, nr 11
• Strony: 14--18
• Opis fizyczny: Bibliogr. 14 poz., il., wykr.

Twórcy

autor

Gotszalk T.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki

autor

Sikora A.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki

autor

Kolanek K.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki

autor

Szeloch R.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki

autor

Szmidt J.

• Politechnika Warszawska, Instytut Mikro- i Optoelektroniki

autor

Grabiec P.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

autor

Rangelow I. W.

• Faculty of Physics, Institute of Technological Physics, Kassel, Niemcy

autor

Mitura S.

• Politechnika Łódzka, Wydział Mechaniczny

Bibliografia

• [1] Semiconductor Industry Association (SIA), National Technology Roadmap, 1994.
• [2] Semiconductor Industry Association (SIA), International Technology Roadmap for Semiconductors, 2004 Update. Internet: http://public.itrs.net
• [3] S. Bandyopadhyay, A. Balandin: Nanoelectronic implementations of reversible and quantum logic. Superlattices and Microstructures, Vol. 23, No. 3/4, 1998 pp. 445-464.
• [4] Y. Makhlin, G. Schón, A. Shnirman: Nanoscale superconducting quantum bits Physica C 350 (2001) pp. 161-165.
• [5] P. Lali, M. Pecht, E. B. Hakim: Characterization of functional relationship between temperature and microelectronics reliability. Microelectronics Reliability, Vol. 35, 1995, pp. 377-402.
• [6] D. G. Cahill, W. K. Ford, К. E. Goodson, G.D. Mahan, A. Majumdar, H. J. Maris, R. Merlin, S. R. Phillpot: Nanoscale thermal transport. J. Appl. Phys., Vol. 93, No. 2, 15 January 2003, pp. 793-818.
• [7] T. P. Gotszalk: Systemy mikroskopii bliskich oddziaływań w badaniach mikro- i nanostruktur. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej, Wrocław 2004.
• [8] К. P. Chong: Nanoscience and engineering in mechanics and material. Journal of Physics and Chemistry of Solids 65 (2004) pp. 1501-1506.
• [9] K. Likharev: Single-Electron Devices and Their Applications. Proc. IEEE, vol. 87, April 1999, pp. 606-632.
• [10] S. Altmeyer: Potential and challenges of single electron devices. Vacuum, Vol. 52, No. 2, 1998, pp. 295-299.
• [11] W. Nawrocki, M. Wawrzyniak: Zjawiska kwantowe w metrologii elektrycznej. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej, Poznań 2003.
• [12] H. Ahmed, К. Nakazało: Single-electron devices. Microelectronic Engineering, Vol. 32 (1996), pp. 297-315.
• [13] A.T. Tickle, F. C. Simmel: Coulomb blockade in silicon nanostructures. Progress in Quantum Electronics, 25, 2001, pp. 97-138.
• [14] A. Sikora: Nanomodyfikacja powierzchni za pomocą modularnego mikroskopu tunelowego i sił atomowych. Rozprawa doktorska, Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki, Wrocław 2004.