Parametry wielkosygnałowe tranzystorów i ich pomiar

• Autorzy: Rajkowski R.

Warianty tytułu

EN

Large-signal transistor parameters and their measurement

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Artykuł traktuje o technikach, które opisują zachowanie tranzystorów w warunkach pracy wielkosygnałowej. Przedstawia wady i zalety poszczególnych technik wykorzystywanych do projektowania wzmacniaczy mocy. Praca zawiera również wprowadzenie do analizy wielkosygnałowej. Porównano projektowanie z wykorzystaniem macierzowych parametrów [S] wielkosygnałowych i małosygnałowych z metodą load-pull. Wyniki podano dla dwóch tranzystorów: dużej mocy MRF181S i małej NE34018.

EN

In this paper techniques, which are used to show transistor behaviour under large-signal conditions are presented. Advantages and disadvantages of these techniques for power amplifiers design are described. Introduction into vectorial large-signal analysis is also described. Large-signal vs. small-signal [S]-parameters and source/load-pull design are compared for MRF181S and NE34018 transistors.

Słowa kluczowe

PL

wielkosygnałowe parametry macierzy [S]; pomiar load-pull

EN

large-signal [S] parameters; source/load- pull measurement

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2005
• Tom: Vol. 46, nr 6
• Strony: 48--50
• Opis fizyczny: Bibliogr. 7 poz., wykr.

Twórcy

autor

Rajkowski R.

• Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki

Bibliografia

• 1. Galwas B.: Mikrofalowe generatory i wzmacniacze tranzystorowe. Warszawa, WKŁ 1991, roz. 3.
• 2. Rajkowski R.: Power Transistor Model Extraction, 12th ITSS-2002, Mińsk.
• 3. Mazumder S. R.: „Two-Signal" Method of Measuring the Large-Signal SParameters of Transistors. MTT-27, no. 6, June 1978, s. 417-419.
• 4. Walker J. L. B.: High-Power GaAs FET Amplifiers. Artech House 1993, roz. 3, 4.
• 5. Wood A., Davidson B.: RF Power Device Impedances: Practical Considerations, Motorola AN1526.
• 6. Verspecht J.: Characterizing Components Under Large Signal Excitation: Definig Sensible „Large Signal S-Parameters”. 49th ARTFG Conference, 1997.
• 7. Schreurs D., Verspecht J.: Easy and accurate empirical transistor model parameter estimation from vectorial large-signal measurements. IEEE 1999.