Wzrost warstw w obecności wiązki jonów (IBAD) : symulacje komputerowe metodą Monte Carlo

• Autorzy: Oleszkiewicz W. , Romiszowski P.

Warianty tytułu

EN

Computer Monte Carlo simulation of the growth of layers in the presence of ion beam (IBAD)

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Przedstawiono kontynuację badań symulacyjnych metodą Monte Carlo wzrostu warstw (w skali atomowej) wspomaganego niskoenergetycznym bombardowaniem jonowym (IBAD). W określonych warunkach procesu osadzania badano, w jakim stopniu oddziaływania adatom-adatom, jon-adatom, uwzględnione w modelu, wpływają na strukturę warstw i morfologię ich powierzchni. Stwierdzono, że oddziaływania te mogą znacząco zmieniać strukturę kolumnową warstw zwłaszcza w zakresie małych energii jonów bombardujących warstwę. Zmienia się wówczas również gęstość i chropowatość warstw.

EN

Monte Carlo simulations of the IBAD process of layer growths in the atomic scale are presented. The investigations focused on the influence of both the adatom-adatom and ion-adatom interactions on the structure and the morphology of the layers. It was found that these interactions can determine the presence (or absence) of the columnar structure of the layers particularly for the low ion bombardment energy regime. Also the density and the roughness of the layers is sensible to the magnitude of these interactions.

Słowa kluczowe

PL

symulacje Monte Carlo; IBAD; wzrost warstw; struktura kolumnowa; chropowatość

EN

Monte Carlo simulation; IBAD; growth of layers; columnar structure; roughness

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2005
• Tom: Vol. 46, nr 6
• Strony: 11--13
• Opis fizyczny: Bibliogr. 15 poz., wykr.

Twórcy

autor

Oleszkiewicz W.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki

autor

Romiszowski P.

• Uniwersytet Warszawski, Wydział Chemii

Bibliografia

• 1. Xia M., Liu X., Gu P.: Applied Optics; 32; 28; 1993; 5443-5446.
• 2. Glimer G. H., Huang H., Roland Ch.: Computational Materials Science; 12; 1998; 354-380.
• 3. Lugscheider E., von Hayn G.: Surface and Coatings Technology; 142-144; 2001; 923-927.
• 4. Torre J. D., Gilmer G. H., Windt D. L., Kalyanaraman R., Baumann F. H., O’Sullivan P. L., Sapjeta J., de la Rubia T. D., Rouhani M. Djafari: Journal of Applied Physics; 94; 1; 2003; 263-271.
• 5. Šikola T., Spousta J., Dittrichová L „ Beneš L., Peřina V., Rafaja D.: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B: 127/128; 1997; 673-676.
• 6. Guglya A. G., Marchenko I. G., Malykhin D. G., Neklyudov I. M.: Surface and Coatings Technology; 163-164; 2003; 286-292.
• 7. Zdanowski J., Oleszkiewicz W.: Proc 12th International Special Summer School Kołobrzeg 2000; „Modern Plasma Surface Technology”; Materiały Konferencyjne Wydziału Mechanicznego Politechniki Koszalińskiej; Koszalin; 2000; 75-136.
• 8. M. Rusanen, I. Koponen, J. Heinonen, L. Sillanp: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B: 148; 1999; 116-120.
• 9. Koponen I. T.: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B: 171; 2000; 314-324.
• 10. Zhang Q. Y., Ma T. C., Pan Z. Y., Tang J. Y.; Surface and Coatings Technology; 128-129; 2000; 175-180.
• 11. Oleszkiewicz W., Romiszowski P.: Vacuum; 63; 4; 2001; 613-617.
• 12. Oleszkiewicz W., Romiszowski P.: Elektronika; XLII; 7; 2001; 25-27.
• 13. Oleszkiewicz W., Romiszowski P.: Optica Applicata; XXXII; 3; 2002; 259-265.
• 14. Oleszkiewicz W., Romiszowski P.: Vacuum; 70; 2003; 347-352.
• 15. Marendziak A., Oleszkiewicz E., Oleszkiewicz W., Romiszowski P., Żukowska K.: Elektronika; XLIV; 7; 2003; 21-23.