Wpływ wybranych czynników na parametry termiczne przyrządów półprzewodnikowych

• Autorzy: Górecki K. , Zarębski J. , Stepowicz W. J.

Warianty tytułu

EN

The influence of selected factors on the thermal parameters of semiconductor devices

• Konferencja: International Conference MIXDES 2005 (12 ; 22-25.06.2005 ; Kraków, Poland)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Opracowanie dotyczy wpływu wybranych czynników na rezystancję i przejściową impedancję termiczną przyrządów półprzewodnikowych. Przedstawiono przykładowe wyniki pomiarów i omówiono wpływ na parametry termiczne przyrządów półprzewodnikowych, takich czynników jak: punkt pracy badanego przyrządu, długość jego wyprowadzeń, wielkość pola lutowniczego i radiatora, temperatura otoczenia, zastosowane warstwy pośredniczące między obudową przyrządu a radiatorem, orientacja przestrzenna badanego elementu oraz wzajemne sprzężenia termiczne między elementami.

EN

The paper concerns the problem of the influence of selected factors on the thermal resistance and the transient thermal impedance of semiconductor devices. The results of measurement of the considered thermal parameters dependences on such factors as the operating point of the device, the length of terminals, the dimensions of the solder fields and the heat-sink, the ambient temperature, the utilized intermediary layer between the case and the heat-sink, as well as the spatial orientation of the considered device and the mutual thermal interactions between devices mounted on the same heat-sink, are shown and discussed.

Słowa kluczowe

PL

parametry termiczne; pomiary; przyrządy półprzewodnikowe

EN

thermal parameter; measurements; semiconductor devices

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2005
• Tom: Vol. 46, nr 10
• Strony: 18--20
• Opis fizyczny: Bibliogr. 13 poz., wykr.

Twórcy

autor

Górecki K.

• Akademia Morska w Gdyni, Katedra Radioelektroniki Morskiej

autor

Zarębski J.

• Akademia Morska w Gdyni, Katedra Radioelektroniki Morskiej

autor

Stepowicz W. J.

• Akademia Morska w Gdyni, Katedra Radioelektroniki Morskiej

Bibliografia

• 1. Nowakowski A.: Badanie procesów termicznych w przyrządach półprzewodnikowych. Zesz. Nauk. Polit. Gdańskiej, ElektronikaLX, nr389, 1984.
• 2. Zarębski J.: Modelowanie, symulacja i pomiary przebiegów elektrotermicznych w elementach półprzewodnikowych i układach elektronicznych. Prace Naukowe Wyższej Szkoły Morskiej w Gdyni, Gdynia, 1996.
• 3. Szekely V : A new evaluation method of thermal transient measurement results. Microelectronic Journal, vol. 28, 1997, pp. 277-292.
• 4. Semiconductors and integrated circuits. Part 1 a: Rectifier diodes and thyristors. M.B.L.E. Electronics, Bruxelles, 1974.
• 5. Napieralski A., Grecki M., Pacholik J.: Do not use a thermal impedance approach in thermal analysis of power semiconductor devices and ICs, XVII-th National Conference Circuit Theory and Electronic Networks, Wroclaw, 1994, pp. 365-370.
• 6. Górecki К.: Elektrotermiczny makromodel tranzystora Darlingtona do analizy układów elektronicznych. Praca doktorska, Politechnika Gdańska, 1999.
• 7. Bielski J.: Badanie parametrów termicznych wybranych elementów półprzewodnikowych. Praca dyplomowa inżynierska, Wyższa Szkota Morska w Gdyni, Gdynia, 1994.
• 8. Zarębski J., Górecki K., Stepowicz W.J.: Wpływ sposobu zamocowania tranzystora na jego rezystancję termiczną, Materiały VI-ej Konferencji Naukowej „Technologia Elektronowa”, ELTE’97, Krynica, 1997, s. 708-712.
• 9. Górecki K., Zarębski J.: System mikrokomputerowy do pomiaru parametrów termicznych elementów półprzewodnikowych i układów scalonych. Metrologia i Systemy Pomiarowe, nr 4, 2001, s. 379.
• 10. Oettinger F. F., Blackburn D. L: Semiconductor measurement technology: thermal resistance measurements, U.S. Department of Commerce, NIST/SP-400/86, 1990.
• 11. Elison G. N.: Thermal computations for electronic equipment. Van Nostrand Reinhold Company, New York, 1984.
• 12. Górecki К., Zarębski J.: A new method of the measurement of the thermal resistance of the monolithic switched regulator LT1073. VI Semetro, Rio de Janeiro, 2005, (artykuł przyjęty do druku).
• 13. Górecki К.: Wpływ wybranych czynników na parametry termiczne elementu półprzewodnikowego. Raport - SEM-2002, Seminaria Katedry Radioelektroniki Morskiej, Akademia Morska w Gdyni, 2002, s. 19.