Rola adsorpcji i katalizy w detekcji gazów przy użyciu półprzewodnikowych czujników gazowych. Cz. 1 Mechanizm działania i preparatyka czujników rezystancyjnych

Kocemba, I.

Artykuł - szczegóły

Tytuł artykułu

Rola adsorpcji i katalizy w detekcji gazów przy użyciu półprzewodnikowych czujników gazowych. Cz. 1 Mechanizm działania i preparatyka czujników rezystancyjnych

Autorzy

Kocemba I.

Wybrane pełne teksty z tego czasopisma

Identyfikatory

Warianty tytułu

The role of adsorption and catalysis in semiconductors gas sensors. Pt. 1 Sensing mechanism and preparation of resistant sensors

Języki publikacji

Abstrakty

The development of semiconductor gas sensors for the detection of combustion and toxic gases has been in progress for several years. Ceramics gas sensors based on SnO₂, TiO₂, ZnO have been widely accepted as an important tool for detecting or monitoring gases and vapours like H₂, CO, CH₄, H₂S, C₂H₅OH. The sensors are manufactured by means of different technologies. The most popular ones are resistant sensors based on SnO₂

Słowa kluczowe

czujnik gazowy półprzewodnikowy absorpcja kataliza

Wydawca

Polskie Towarzystwo Chemiczne

Czasopismo

Wiadomości Chemiczne

Rocznik

1999

Tom

[Z] 53, 3-4

Strony

249--270

Opis fizyczny

Bibliogr. 56 poz., wykr.

Twórcy

autor

Kocemba I.

Instytut Chemii Ogólnej i Ekologicznej Politechniki Łódzkiej, ul, Żwirki 36, 90-924 Łódź

Bibliografia

[1] I. Kocemba, T. Paryjczak, Wiad. Chem, 1992, 46, 285.
[2] R. Chabicovsky, Elektronika 1992, 1-2, 20.
[3] R. S. Jachowicz, Elektronizacja, 1991, 1, 4.
[4] S. Matsuura, Sen. Act., 1993, B13-14, 7.
[5] P. McGeehin, P. T. Moseley, D. E. Williams, Sen. Rev., 1994, 14, 13.
[6] L. Hozer, Półprzewodnikowe materiały ceramiczne z aktywnymi granicami ziarn, PWN, Warszawa 1990.
[7] Ch. Lim, S. Oh, Sen. Act., 1996, B30, 222.
[8] J. Watson, Sen. Rev., 1994, 14, 20.
[9] G. S. Devi, S. Manorama, V. J. Rao, Sen. Act., 1995, B28, 31.
[10] L. Angelis, R. Riva, ibid., 1995, B28, 25.
[11] T. Brousse, D. M. Schleich, ibid., 1996, B31, 77.
[12] G. Ghiotti, A. Chiorino, W. Xiong Pan, L. Marchese, ibid., 1992, B7, 691.
[13] V. Lantto, P. Romppainen, J. Electroch. Soc, 1988, 135 (10), 2550.
[14] N. Ichinose, Am. Ceram. Soc. Bull., 1985, 64, 1581.
[15] J. Gerblinger, H. Meixner, J. AppL Phys., 1990, 67, 7453.
[16] J. Gerblinger, H. Meixner, Silicates Industriels, 1994, 1-2, 31.
[17] U. Lampe, J. Gerblinger, H. Meixner, Sen. Act., 1995, B24-25, 657.
[18] W. Gopel, J. Hesse, H. Baltes, Sensors Update, Vol. 2, Wiley-Vch, Weinheim 1996.
[19] T. Okuhara, N. Mizuno, M. Misono, Adv. in Catal., 1996, 41, 113.
[20] Y. Konishi, K Sakata, M. Misono, Y. Yoneda, J. Catal, 1982, 77, 169.
[21] W. Monch, Semiconductor Surface and lnterfaces, Springer-Verlag, Berlin 1993.
[22] J. F. McAleer, P. T. Moseley, J. O. W. Norris, D. E. Williams, J. Chem. Soc. Faraday Trans., 1987, 83, 1323.
[23] W. Gopel, K. D. Schierbaum, Sen. Act., 1995, B26-27, 1.
[24] Th. Wolkenstein, Electrons and Crystals, Mir, Moscow 1985.
[25] R. Lalauze, C. Pijolat, S. Vincent, L. Bruno, Sen. Act., 1992, B8, 237.
[26] T. Nenov, S. Yordanov, ibid., 1992, B8, 117.
[27] F. J. Gutierrez, L. Ares, J. I. Robla, M. C. Horrillo, I. Sayago, J. A. Agapito, ibid., 1992, B8, 231.
[28] S. R. Morrison, ibid., 1987, 12, 425.
[29] A. Bielański, J. Haber, Cata. Rev.-Sci. Eng., 1979, 19 (1), 1.
[30] R. K. Srivastava, P. Lal, R. Dwivedi, S. K. Srivastava, Sen. Act, 1994, B21, 213.
[31] S. J. Gentry, T. A. Jones, ibid., 1986, 10, 141.
[32] V. Lantto, P. Romppainen, S. Leppavuori, ibid., 1988, 14, 149.
[33] M. C. Carotta, C. Dallara, G. Martinelli, L. Passari, A. Camanzi, ibid., 1991, B3, 191.
[34] S. R. Morrison, Surf. Sci., 1971, 27, 586.
[35] P. Romppainen, V. Lantto, J. Appl. Phys., 1988, 63 (10), 5159.
[36] V. Lantto, P. Romppainen, Surf. Sei, 1987, 192, 243.
[37] I. Kocemba, Electron Technology, 1996, 29, 372.
[38] G. Martinelli, M. C. Carotta, Sen. Act, 1995, B23, 157.
[39] N. Barsan, ibid., 1994, B17, 241.
[40] G. Pfaff, ibid., 1994, B20, 43.
[41] W. Fliegel, G. Behr, J. Werner, G. Krabbes, ibid., 1994, B18-19, 474.
[42] B. Grzybowska-Świerkosz, Elementy katalizy heterogenicznej, PWN, Warszawa 1993.
[43] T. Oyabu, Y. Ohta, T. Kurobe, Sen. Act., 1986, 9, 301.
[44] R. Botter, T. Aste, B. Beruto, ibid., 1994, B22, 27.
[45] S. Matsushima, T. Maekawa, J. Tamaki, N. Miura, N. Yamazoe, ibid, 1992, B9, 71.
[46] Z. G. Szabo, D. Kallo, Contact Catalysis, Akademiai Kiado, Budapest 1976.
[47] K. D. Schierbaum, U. Weimar, W. Gopel, Sen. Act., 1992, B7, 709.
[48] M. S. Dutraive, R. Lalauze, C. Pijolat, ibid., 1995, B26-27, 38.
[49] N. Yamazoe, ibid., 1991, B5, 7.
[50] Ch. Xu, J. Tamaki, N. Miura, N. Yamazoe, ibid, 1991, B3, 147.
[51] H. Ogawa, M. Nishikawa, A. Abe, J. Appl. Phys., 1982, 53 (6), 4448.
[52] J. F. Goodman, S. J. Gregg, J. Chem. Soc., 1960, 82, 1162.
[53] L. M. Sharygin, V. F. Gonchar, V. I. Boribin, Izv. Akad. Nauk. SSSR, Neorg. Mater, 1981, 17, 1804.
[54] G. E. S. Brito, S. H. Pulcinelli, C. V. Santilli, N. Barelli, J. Mater. Sei. Lett., 1993, 12, 992-994.
[55] Ch. Xu, J. Tamaki, N. Miura, N. Yamazoe, ibid., 1989, 8.
[56] S. Yasunaga, S. Sunahara, K. Ihokura, Sen. Act., 1986, 9, 133.

Typ dokumentu

Bibliografia

Identyfikator YADDA

bwmeta1.element.baztech-article-BUS1-0005-0024